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1.
报导了钼和第一过渡系列金属(Fe,Co,Ni,Cu,Zn)四磺酸酞菁配合物的吸收光谱。发现第一过渡系列Co,Ni,Cu,Zn四磺酸酞菁配合物在有机溶剂中的吸收光谱为单峰曲线(主峰),其极大值(λ_(max))有如下规律:Co~Ⅱ相似文献
2.
用紫外可见光谱(UV/Visible Spectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3、Fe:LiNbO3,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明:LiNbO3单晶沿晶体生长方向,其紫外吸收边向长波方向移动,且在350—450nm波段的吸收也逐渐增大,这是由于Li的分凝与挥发,逐渐产生缺锂所造成的;在Fe:LiNbO3单晶中观察到Fe^2 离子在480nm附近的特征吸收峰,并发现沿生长方向,Fe^2 离子的浓度逐渐增加,这与提拉法生长得到的晶体不同;在Fe:LiNbO3单晶中掺入质量分数为1.7%ZnO后,吸收边位置发生蓝移,而掺杂质量分数达到3.4%时,观察到有红移现象。Fe^2 离子在Zn:Fe:LiNbO3单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数1.7%ZnO的Fe:LiNbO3单晶中,Fe^2 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数3.4%ZnO晶体中大,这是由于Zn^2 抑制Fe^2 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe^2 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析。 相似文献
3.
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要. 相似文献
4.
5.
结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅
关键词: 相似文献
6.
7.
8.
本文采用家兔肺泡巨噬细胞(AM)存活率和细胞过氧化脂质(LPO)值为测定指标,研究了硅氧的聚合度对其细胞毒性的影响。结果表明:各种聚合度的硅氧都有一定的细胞毒性,聚合度愈大,细胞毒性也愈大。胶体SiO_2的粒径增大,其细胞毒性降低。十硅酸盐及粒径小于5nm的硅溶胶的细胞毒性大于α-石英。聚合度小于6的低聚硅酸及其盐、粒径18nm以上的硅溶胶以及硅胶H的毒性皆小于α-石英。本实验细胞存活率降低和过氧化脂质值升高的趋势基本一致,这表明硅氧可能主要与细胞表面膜作用,膜上磷脂等表面活性物质被氧化和变性,从而导致细胞损伤。 相似文献
9.
分根法研究镧对水稻生长及其生理参数的影响 总被引:10,自引:1,他引:10
用分根营养液培养法研究了镧对水稻生长及其促进作用的生理机制。结果表明:低浓度镧(0 05~1 5mg·L-1)提高水稻产量,增加实粒数;随着镧浓度从0 05增加到0 75mg·L-1,镧降低第一片完全展开叶和根中过氧化氢酶(CAT)活性;当镧浓度为0 75~9mg·L-1时,镧显著降低叶和根中超氧化歧化酶(SOD)活性;0 75mg·L-1镧增加叶中赤霉素(GA)和吲哚乙酸(IAA)含量,0 75和3mg·L-1镧增加根中细胞分裂素(iPAs)和IAA含量,但降低脱落酸(ABA)含量;秧苗移栽后46d,0 25~6mg·L-1镧显著增加叶片气孔导度;秧苗移栽后59和83d,当镧浓度分别为15和6mg·L-1时,镧显著降低叶片气孔导度;镧对叶片叶绿素(Chl)含量、叶和根中蛋白质,脂质过氧化产物丙二醛(MDA)含量没有发现显著作用。还讨论了镧促进水稻生长和消除超氧阴离子(·O2-)的可能机制。 相似文献
10.