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利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
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利用渗流技术制备出了以石墨颗粒为阻尼增强相、以Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金为基体的复合材料,对该合金的内耗行为进行了研究. 在淬火态样品的内耗-温度曲线上观察到两个内耗峰,分别位于240 ℃和370 ℃附近. 对其中低温峰的变化规律和机理进行了研究. 实验发现,低温峰仅在复合材料中出现,峰位与频率无关,峰高随频率升高而上升;随升温速率增加,峰高增加,峰位移向高温;随石墨颗粒体积分数增加,峰高增加;经多次热循环后该内耗峰消失. 由以上特征和微观观察,可以证明该峰起因于外加交变应力与位错的相互作用. 相似文献
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研究建立了ICP—AES同时测定TiNi形状记忆合金中Co、Cu、Cr、Fe、Nb5元素的方法。进行了必要的条件试验,选择了分析线及其他仪器工作参数;考察了方法检出限、H2SO4酸度及基体钛、镍对测定的影响、工作曲线线性。进行了准确度和精密度试验,各元素的加标回收率为Co98.4%。99.6%、Cu98.0%~103%、Cr98.9%~99.6%、Fe94.6%~95.8%、Nb99.8%。102%。5种元素的相对标准偏差范围为4.2%-10%。 相似文献
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温度对高应变率扭-拉复合加载下形状记忆合金本构关系影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用分离式扭-拉复合加载Hopkinson杆装置,在20℃和500℃下研究了温度对高应变率扭-拉复合加载下铁基形状记忆合金本构的影响,试验结果表明:该材料在高应变率扭-拉复合加载下的名义剪切屈服强度、剪切强度极限和名义拉伸屈服极限、拉伸强度极限均随温度的升高而降低,拉伸和扭转之间具有相互藕合作用。 相似文献
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