Depth-dependent mosaic tilt and twist in GaN epilayer:An approximate evaluation

An approach based on depth-sensitive skew-angle x-ray diffraction （SAXRD） is presented for approximately evalu- ating the depth-dependent mosaic tilt and twist in wurtzite c-plane GaN epilayers. It is found that （103） plane and （101） plane, among the lattice planes not perpendicular to the sample surface, are the best choices to measure the depth profiles of tilt and twist for a GaN epilayer with a thickness of less than 2 μm according to the diffraction geometry of SAXRD. As an illustration, the depth-sensitive （103）/（101） ω-scans of a 1.4-μm GaN film grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate are measured and analyzed to show the feasibility of this approach.     

蓝宝石在高压下光学性质及能带结构的从头算模拟

采用量子力学从头算和赝势平面波基组以及GGA-PBE交换相关函数对蓝宝石(α- Al2O3)窗口材料在0－1000GPa静水压力作用下光学性质及能带结构进行了研究。结果表明, 在静水压力作用下可以观察到蓝宝石一直保持良好的透明性,前沿带隙随着压力的增大先变大后变小,而且部分键长有明显变化,即蓝宝石单晶结构在加压过程中发生了原子位置移动而进行了位置重构。     

钛蓝宝石激光腔像散的研究

运用谐振腔的矩阵传输理论，研究棱镜调谐的２镜直腔钛蓝宝石激光器的像散，提出减少像散的方法，并给出消除像散的腔参数条件。     

Femtosecond Optical Parametric Amplifier for Petawatt Nd：Glass Lasers

We study a femtosecond Ti：sapphire laser pumped optical parametric amplifier （OPA） at 1053nm. The OPA Generates stable signal pulses with duration smaller than l OOfs, wavelength drift smaller than 0.5 nm, and pulseto-pulse fluctuation of about ±4%, by employinG an external seeder. In a terawatt laser pumped large-aperture LiNbOa OPA, pulse energy at signal has been scaled up to 4mJ. This m J-class femtosecond OPA at 1053nm presents a feasible alternative to optical parametric chirped-pulse amplification, and is ready to be applied to petawatt lasers.     

利用光子晶体光纤产生超连续飞秒激光光谱

将单脉冲能量约为2．5nJ、脉宽为25fs、对应峰值功率为0．1MW的的800nm钛宝石激光耦合到长为10mm，芯径为1．8μm的光子晶体光纤中，产生了耦合效率约为17％、谱宽覆盖可见光及近红外波段的超连续光谱。     

柱状ZnO阵列薄膜的生长及其发光特性

采用一种设备简单、原料低廉的新型方法，在镀有ZnO先驱薄膜的(0001)蓝宝石上利用水热 法制备出了柱状ZnO阵列薄膜.用扫描电镜(SEM)，X射线衍射(XRD)对样品的形貌和结构进行 了表征，结果显示ZnO薄膜为柱状阵列，基于蓝宝石衬底沿c轴择优生长，且(0004)摇摆曲线 半高宽度(FWHM)约为1.8°.此ZnO阵列薄膜具有很强的紫外发射光谱(PL). 关键词： 柱状ZnO阵列薄膜 水热法 (0001)蓝宝石 PL谱     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性     

高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO2缓冲层以及Tl-2212超导薄膜生长的影响

研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化，以及它对CeO₂缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明，在流动氧环境中1000℃温度下退火，蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构，然后表面形成叠层台阶结构，随着退火时间的延长，表面发生了台阶合并现象，表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明，通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石