具有—U中心的非简单金属与BCS超导体的邻近效应(Ⅱ)

本文讨论了具有-U中心的非简单金属薄膜与BCS超导体薄膜夹层邻近效应的传导电子能隙函数、态密度及超导转变温度T_c随各参量的变化规律。结果表明,-U中心的存在使激发谱“能隙”内出现很小值的态密度。在一定参数范围内,这种夹层系统的T_c是有可能高于大块BCS超导体的转变温度。 关键词：     

THERMOELECTRIC POWER OF A LOCAL PAIR MODEL AND ITS APPLICABILITY TO YBa2Cu3O7

A formula of thermoelectric power (TEP) for the local pair model has been derived. It has been found that from T_c to about 125K the TEP data of YBa₂Cu₃O₇ (Y-123) can be described by this formula. We have also found that the formula of the diffusion thermoelec-tricity in the free electron approximation can be used to express the TEP data of Y-123 in the region of 220 to about 300 K. It seems that a general transition occurs in the intermediate temperature region, that is from the regime in which the local pair subsystem is dominating to the regime in which the itinerant carrier subsystem is dominating.     

标量相对论近似下格林函数能带计算法

略去自旋轨道耦合效应,在标量相对论近似下本文提出了一个近似的、相对论格林函数电子能带结构计算法。用这个方法可以对非相对论格林函数计算电子能带结构方法稍加改变就得到相对论效应对电子结构的影响。 关键词：     

自旋涨落对过渡族元素超导转变温度的影响

文章综合考虑了涉及电声耦合常数和自旋涨落因子的理论公式,通过数值计算得到了3d和4d过渡族元素的λ_(pb)和λ_(spin),指出在一些过渡族元素中,自旋涨落对超导转变媪度有不可忽略的降低作用,而自旋涨落效应的强弱随元素在周期表中的位置呈有规律的起伏。     

态密度奇点对In-Cd和In-Tl合金T_c影响的计算

许多实验研究了少量非磁性杂质对超导转变温度T_c的影响,Markowitz-Kadanoff提出的理论(以下简称MK理论)可以解释这方面的多数实验结果。但是对合Cd量在2at％附近的In-Cd合金以及合T1 4.4at％附近的In-T1合金来说,其T_c变化与MK理论不符。本文根据对有关实验的分析,对上述成分附近的In-Cd,In-T1合金提出了一种态     

低温物理领域的开拓者——卡末林—昂内斯

1卡末林-昂内斯的青年时代 1853年9月21日卡末林-昂内斯出生于荷兰的Groningen.他的父亲拥有一制瓦厂,但他的母亲艺术素养颇佳,深深影响了他.他的姐夫是当时Leiden有些名气的画家.卡末林-昂内斯年轻时也曾涉猎诗歌.     

高温铜氧化物超导体的正常态--赝隙金属态

对高温铜氧化物超导体的正常态,首先回顾了有关其性质的9点重要实验结果.在此基础上,论证双子系统、二维Hamilton量是描写HTS正常态的适宜的出发点.以此Hamilton量采用Kaga退耦合近似的Green函数法经数值计算,得到了随温度而变的态密度中赝隙,与角分辨光电发射实验结果定性一致.理论还表明此Hamilton量具有以d波为主的d+s对称性的超导序参量,这和实验相符.进一步指出,高温铜氧化超导体中的量子电子液体是近Fermi液体,其中退局域化态与近局域化态共存,而近局域载流子在任一有限温度下有一定几率形成近局域载流子对.     

对于如何在物理教学中贯彻辩唯证物主义原则的一些意见

在物理学中贯彻辩证唯物主义有着重要意义,列宁在唯物论与经验批判论第五章结尾时写道:“一句语,今天的‘物理学的’唯心论正如昨天的‘生理学的’唯心论一样,不过是意味着自然科学一个部门里的一个自然科学家学派陷入于反动的哲学,不能够从形而上学的唯物论直接一跃而到辩证唯物论,现代物理     

应力对(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

考虑到应力对超薄层(GaP)_1/(InP)_1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小0.31eV.通过对辅助模型的研究,可以发现随键长应力的增大,系统带隙加宽,费密能级移动,同时计算得到的各晶位上原子的电子占有数结果清楚地反映了InP的离化程度比GaP高,最后证明这类应力超晶格(111)表面有类似的SP_z+P_x—P_y退杂化轨道存在,但是各分波轨道对它的贡献与(GaAs)_1/(AIAs)_1(001)超晶格中(001)表面的相应情况是不同的。     

氧化物高温超导体的能隙和比热跃变

应用自由载流子与负 U 中心相互作用机制模型,我们讨论了氧化物高温超导体的能隙和比热跃变.所得结果与实验基本一致.