s+d混合波对称性下联合模型的超导电性

提出一个联合模型，在ｓ＋ｄ混合波对称性下，合并考虑电子间配对相互作用的各向异性及二维电子结构上Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性对超导电性的影响．理论结果表明：Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性及配对相互作用的各向异性都是使Ｔ_c提高的重要因素；各向异性的电子配对相互作用自然导致序参量的ｄ波成分，当此各向异性增强时，ｄ波成分也增大．高温超导体的较高２Δ（０）／ｋ_ＢＴ_c值可能预示着在这些材料中ｓ波的权重远小于ｄ波权重．联合效应模型下的Ｔ_c处比热跳跃行为与经典的ＢＣＳ理论也完全不同 关键词：     

超导材料、理论新进展及应用前景

 自从1911年卡末林·昂尼斯首次发现超导电性以来,已经历了四分之三世纪以上的岁月了.然而,人类对超导电性的研究和应用仍然没有达到完美的境地.尽管如此,超导电性学科和技术仍已步入它的青壮年时期,并且人们认识到:一旦室温超导材料被发现,则人类现代技术文明的一切都将随之发生巨大变革.一、高温氧化物新超导材料的发现直到1985年,人类发现的超导材料的超导转变温度T_c都较低,只能在液态氦温度下工作,这个条件限制了超导技术的应用.想方设法提高T_c是几十年来人们努力寻求的目标,其中一个方向就是研究氧化物超导体.这始于几十年前,从当时的尺度来看,已获得T_c值不算很低的研究结果,因而一直受到关注.     

对高温氧化物超导体的黄金坐标分析

本文对60余种高温氧化物超导材料用Villars坐标进行再分析。又引进两个新的坐标(电负性平均值及平均化合价),发现在用这两个新坐标分析时,高温氧化物超导材料在图中的分布更趋于集中。 关键词：     

应力对(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

考虑到应力对超薄层(GaP)₁/(InP)₁(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)₁/(InP)₁(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小 关键词：     

三重态双极化子系统的超导与铁磁共存

采用对称破缺的Hartree平均场近似,讨论了三重态双极化子系统的超导和铁磁共存问题。我们发现,系统的基态是铁磁超导混合态,这与BCS超导的情形不同。在双极化子的低密度区域,只有从正常态到混合态的转变;而在高密度区域,随着温度的降低,系统可能将首先转变到铁磁态,然后转变到铁磁超导混合态。当系统已经具有超导电性时,不可能发生到铁磁态的相变。 关键词：     

镧的电声作用与超导电性

通过能带理论分析肯定镧的超导机制仍是BCS机制.造成镧的超导转变温度较高的主要因素是值高,这是由d-p及d-f散射引起的.在镧的电子能带结构中较丰富的f分波以及镧的原子体积大这一不利处是在制备含镧超导材料中值得进一步注意的.可以说,镧是“f带”超导体典型之一.     

稀土和锕系化合物中重费密子行为

本文采用周期Anderson哈密顿量研究了稀土和锕系化合物中的重费密子行为。对f电子间库仑关联项做了平均场近似并引入自能项反映多体作用的效应。对自能项采用了单格位近似,在准粒子表象中讨论了系统的性质,通过对f电子平均占据数的自洽计算,得到了准粒子有效质量,讨论了形成重费密子的条件,以及相应的磁性的变化,并做了数值计算。所得结果与最近的实验进行了比较。 关键词：     

高温铜氧化物超导体的某些新进展评论

文中对近年来有关高温铜氧化物超导体(HTS)的某些重要实验的进展情况作了评述。强调目前处于HTS实验研究应起主导作用的阶段,特别是对HTS电子液体中反常电荷分布的观察,察微观瞬的技术改进实验结果,有助于解决对HTS超导机制的争论。对HTS的应用基础技术提出了建议方向。     

s+d混合波对称性下计入库仑作用和Van Hove奇异性的超导转变温度和同位素效应

本文在ｓ＋ｄ混合波对称性下研究了ＶａｎＨｏｖｅ奇异性、准粒子配对相互作用各向异性并再计入库仑排斥势对超导转变温度（Ｔｃ）和同位素效应的联合效应．结果表明，ＶａｎＨｏｖｅ奇异性和各向异性都能显著地增高Ｔｃ，库仑作用则降低Ｔｃ．库仑作用和ＶａｎＨｏｖｅ奇异性都能减小同位素效应指数（α），各向异性和ｄ波成分则增大α．计入库仑作用后α就随ＣｕＯ２面内各向异性参量增大而增大．由此可以推测，如果实验上肯定了高温超导体的序参量是以ｄ波为主，则高温超导电性为非声子机制的可能性就比较大．此结论与根据有关文献作出的判断相符．     

ELECTRONIC STRUCTURE OF Hg0.8Pb0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ: THE ROLE OF Pb DOPING, OXYGEN DOPING AND HIGH PRESSURE

The effects of Pb doping, oxygen doping (δ= 0.1,0.2,0.4 and 0.5) and high pressate (4, 8, 15 and 20GPa) on the electronic structure of Hg_0.8Pb_0.2Ba₂Ca₂Cu₃O_8+δ have been examined by the recursion method. Our calculations show that Pb doping only decreases the hole concentration slightly and oxygen doping increases the hole concentration monotonically and significantly as δ varies from 0 to 0.5, with each excess oxygen atom contributing about 1.7 holes to the CuO₂ layers. The optimal δ is estimated to be around 0.4, The hole conceatration increases initially with pres-sure but decreases as P > 8GPa (i.e., dn/dP does change sign at ～ 8GPa). The suppressed T_c(P) by Pb substitution has to be described in the modified Neumeier's model.