SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

利用傅里叶变换(FT)方法,对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟,并 用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层-n型重掺杂层(SIN⁺)结构的GaAs样品的FKO. PR谱的FT分析表明,一部分样品的FT谱,包括其实部、虚 部和模,与理论线性符合得比较好,由此求出轻空穴(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之 比μ_l/μ_h对不同样品在0805—0816之间,同时也可以求出 关键词： Franz-Keldysh振荡 傅里叶变换 GaAs     

PHOTODIFFRACTIVE EFFECTS IN SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES

We have investigated the photodiffractive effect induced by resonant excitations in semiconductor microstructures by means of the multiple wave coupling method. We have derived set of multiple wave coupling equations for photodiffractions in the case of coexistence of refraction and absorption gratings. Numerical results of the equations for a few typical cases have been analysed in detail, and their physical significance is also discussed.     

砷化镓上银和金膜的价带光电子谱

木文测量了光子能量为21.2eV,40.8eV和1486.6eV的光电子谱,得到了关于GaAs(110)解理面上银膜的价带能谱新数据,并得到金膜价带能谱的补充数据,蒸发的银膜和金膜的厚度范围为0.l?到1000?,实验上发现并讨论了下面的现象:GaAs(110)面上金膜和银膜的紫外价带光电子谱的强度与膜厚的关系曲线中出现极大峰。 关键词：     

金属-半导体界面与肖特基势垒

本文主要评述关于肖特基势垒、半导体表面态和金属-半导体界面的实验研究和近年来的进展。第一部分介绍肖特基势垒的基本理论,实验方法和测量结果。第二部分介绍半导体表面态的实验研究,主要是用光电子能谱获得的成果。第三部分介绍近年来关于肖特基势垒和金属-半导体界面的一些研究进展。文中着重介绍美Stanford大学Spicer研究组的一系列贡献。     

增强的串级非线性

介绍了χ⁽²⁾串级非线性.讨论了串级光克尔非线性和串级光折变非线性的增强机制,并指出二阶和三阶非线性的相互转化,为光学非线性工程设计提供了可行性 关键词： 串级非线性 光克尔效应 光折变效应     

研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法

运用高精度X射线双晶衍射议对GeSi/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung),建立了界面的随机概率模型.结合计算机模拟发现:Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Penderllosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化. 关键词：     

掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱

报道了用光反射调制谱(PR)测量掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和界面电场的结果。分别用He-Ne激光和He-Cd激光作调制光,由于它们的穿透深度不同,可以有效地区分来自表面和界面的PR信号。由PR谱推算出薄膜表面和界面的电场。研究了薄膜干涉效应对调制光谱的影响,对界面电场的成因进行了分析和讨论。 关键词：     

GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合

本文报道在300和77K对一组具有不同垒宽Lb的GaAs/Al_(0.23)Ga_(0.77)As双量子阱样品的光调制反射谱(PR)的研究结果。除观察到11H,11L和22H等容许跃迁外,同时还识别一个从Al_(0.23)Ga_(0.77)As价带顶至量子阱第一电子束缚能级的跃迁,另一个从量子阱第一轻空穴束缚能级至Al_(0.23)Ga_(0.77)As导带底的跃迁。利用这些跃迁确定导带边不连续性为0.63。对Lb≤40实验观察到11H和11L跃迁都明显地分裂成对称和反对称分量,对分裂大小的实验值与理论计算作了比较。在77K的11H的PR谱中在高能端明显地出现一个肩形峰,其形状不能用PR标准线形来拟合。如认为它对应于带间跃迁,并由此估计激子的束缚能约为8meV。