量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型

Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器 件在高频领域的应用. 针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构, 通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布, 并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了Ge组分、缓冲层厚度、 Si帽层厚度和衬底掺杂对阈值电压的影响.由于SiGe沟道层较薄, 计算中考虑了该层价带势阱中的量子化效应. 当栅电压绝对值过大时, 由于能带弯曲和能级分裂造成SiGe沟道层中的空穴会越过势垒到达Si/SiO₂界面, 从而引起器件性能的退化. 建立了量子阱SiGe PMOSFET沟道层的空穴面密度模型, 提出了最大工作栅电压的概念, 对由栅电压引起的沟道饱和进行了计算和分析. 研究结果表明,器件的阈值电压和最大工作栅压与SiGe层Ge组分关系密切, Ge组分的适当提高可以使器件工作栅电压范围有效增大.     

扭量子环面李代数L(C)Q[σ]的代数结构

L(C)Q[б]是由Eij(○×)Ekl(○×)t01/2+α0(m'-1)+l-kt1/2+α,1≤i,j≤m,1≤k,l≤m',(1/2)+α=(1/2+α0,…,1/2+αv)∈(1/2+Z)v+1生成的(Mm(C)(○×)Mlm(C))(C)Q[б]的扭量子环面李代数,研究L(C)Q[б]的代数结构.     

利用核模糊聚类和正则化的图像稀疏去噪

针对目前图像去噪方法噪音抑制不彻底、容易模糊细节等问题,提出了一种利用核模糊C均值聚类和正则化的图像稀疏去噪方法.该方法首先将图像分成大小相同的若干块,并采用核模糊C均值聚类算法对相似的图像块进行聚类,从而保证同一类图像块共享相同的稀疏去噪模型;然后,选择由经典图像库中图像训练而得的全局字典作为初始字典,很好地适应图像的多种特征;接着,对于同一类图像块,通过施加1/2范数正则化约束,实现该类图像块在字典下的稀疏分解,确保分解系数更为稀疏;最后,通过改进的K-奇异值分解算法完成字典的更新,并选择与原稀疏模型差异最大的图像块来替换更新字典的冗余原子,从而有效地去除图像噪音.实验结果表明,与小波扩散去噪法、固定字典去噪法、最优方向去噪法、K-奇异值分解去噪法相比,该方法能更有效地去除图像噪音,保留图像细节,改善图像视觉效果.     

A Novel All-Optical Switch in a Double-Loop Sagnac Ring Coupled with a Nonlinear Ring Resonator

We propose a novel configuration of all-optical switch based on a double-loop Sagnac ring coupled with a nonlinear ring resonator. In the case of self-phase modulation, the reducing switching threshold power clown to mW is predicted, which is the improvement of earlier works on all-optical switches. The switch optimization is analysed.A way to increase the response speed of all-optical switches is suggested.     

HL-2A装置等离子体水平位移控制

HL-2A装置是带封闭偏滤器的磁约束托卡马克实验装置，于2002年底建成并通过国家验收。2003年在各子系统准备充分和等离子体水平位移反馈控制系统投入运行后，实现了首次重复的偏滤器位形等离子体放电实验。     

用于缺陷定量的超声散射信号去相关分析及贝叶斯反演方法

针对结构中缺陷定量识别问题,建立了椭圆缺陷超声散射仿真模型,研究了缺陷偏转角度及尺寸对散射信号去相关特性的影响。结果表明,超声信号去相关系数矩阵与缺陷几何状态(如尺寸及角度)存在很大关联性,但并非线性相关。结合参数化有限元分析与贝叶斯理论,发展了一种基于超声散射信号去相关分析的缺陷反演方法,开展了缺陷反演数值仿真及检测实验。结果表明,发展的缺陷反演方法可以很好实现铝块与铝板缺陷位置及尺寸反演。其中铝块开口缺陷尺寸(深度)反演误差约为激励波长0.2倍,位置误差约为激励波长0.6倍;铝板圆形缺陷尺寸反演误差约为激励波长0.04倍,位置误差约为激励波长0.4倍。研究工作为结构中缺陷定量识别与评价做了有益探索。      

两端线型双量子点分子Aharonov-Bohm干涉仪电输运

设计一个两端线型双量子点分子Aharonov-Bohm (A-B)干涉仪. 采用非平衡格林函数技术, 理论研究无含时外场作用下的体系电导和引入含时外场作用下的体系平均电流. 在不考虑含时外场时, 调节点间耦合强度或磁通可以诱导电导共振峰劈裂. 控制穿过A-B干涉仪磁通的有无, 实现了共振峰电导数值在0与1之间的数字转换, 为制造量子开关提供了一个新的物理方案. 同时借助磁通和Rashba自旋轨道相互作用, 获得了自旋过滤. 当体系引入含时外场时, 平均电流曲线展示了旁带效应. 改变含时外场的振幅, 实现了体系平均电流的大小与位置的有效控制, 而调节含时外场的频率, 则可以实现平均电流峰与谷之间的可逆转换. 通过调节磁通与Rashba自旋轨道相互作用, 与自旋相关的平均电流亦得到有效控制. 研究结果为开发利用耦合多量子点链嵌入A-B 干涉仪体系电输运性质提供了新的认知. 上述结果可望对未来的量子器件设计与量子计算发挥重要的指导作用.     

高效液相色谱–四极杆飞行时间质谱法快速筛查饮料中6种人工合成甜味剂

建立了高效液相色谱–四极杆飞行时间串联质谱快速检测饮料中糖精钠、甜蜜素、安赛蜜、阿斯巴甜、纽甜、三氯蔗糖6种人工合成甜味剂的方法。样品经水提取,采用C18色谱柱,以甲醇和0.1%甲酸–10 mmol/L甲酸铵溶液为流动相,梯度洗脱,四极杆飞行时间串联质谱电喷雾负离子模式检测。各化合物在0.02~2.0 mg/L范围内均呈现良好的线性关系,相关系数均大于0.998。样品平均添加回收率为63.0%~113.2%,测定结果的相对标准偏差均小于9.6%(n=5)。该方法简便快捷,选择性好,灵敏度高,可满足国内外现行法规的限量要求。     

Co替代效应对Fe_(1+y)Te单晶磁性和输运性质的影响

我们通过自助熔剂法制备了Fe1+y-xCoxTe(x=0,0.04,0.09)系列单晶,研究了Fe位Co替代效应对Fe1+yTe母体的磁性、电阻以及比热性质的影响.研究结果表明Co的替代效应明显的抑制了母体Fe1.05Te的反铁磁结构相变,并在低温出现了自旋玻璃态.当掺杂量x=0.09时,电阻率曲线呈现半导体行为.低温比热曲线拟合结果显示费米面附近的态密度随掺杂量变化不大,表明Co对Fe的替代效应主要表现为引入了局域磁矩.     

酱油中3-氯-1,2-丙二醇(3-MCPD)的暴露评估

通过对世界各国和国际组织对3-氯-1,2-丙二醇（3-MCPD）的评估结果分析和研究,结合我国酱油调查消费数据以及生产和检测3-MCPD的含量数据,采用国际食品添加剂联席会议（JECFA）和食品科学委员会（SCF）均推荐的毒性值进行暴露评估,评估结果为：将我国酱油中3-MCPD最高允许量设置为0．4mg／kg,对于人类健康及满足国际贸易的要求是适宜的。