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992.
993.
ICF靶用泡沫铜的制备与表征 总被引:2,自引:1,他引:1
以次磷酸钠为还原剂的化学镀进行导电化处理,研究了ICF靶用泡沫铜的电沉积工艺。采用扫描电子显微境和X射线衍射仪对制备过程中各阶段泡沫铜的微观结构进行了表征。结果表明:经化学镀后可获得晶粒尺寸小、分布均匀的铜沉积层。电沉积后铜沉积层主要由0.55 μm的小颗粒组成,并且出现突出大颗粒的形貌特征。在氢气氛围下,经700 ℃热处理后,铜颗粒进一步长大,沉积层结晶致密。制备的泡沫铜呈3维网络状结构,分布均匀,密度为0.19 g/cm3,孔径分布为400~600 μm,孔隙率达97.9%。 相似文献
994.
设计了中国科学院近代物理研究所利用兰州重离子研究装置(HIRFL)进行浅层肿瘤临床治疗试验研究中所使用的束流诊断安全控制系统。该系统包括束流强度监测及保护、剂量测量、扫描波形监测及保护3个部分。系统基于PXI系统及LabVIEW软件,给出了该系统的各部分结构。从系统建立时的多次测试结果以及实际临床治疗试验研究时的长期运行结果来看,该束流诊断控制系统在控制辐照剂量以及安全保护方面能够满足当前重离子加速器浅层肿瘤临床治疗试验的基本要求,为试验研究的顺利进行提供了可靠的保证。 相似文献
995.
光照法在玻璃基底上原位生长金纳米结构及其光谱性质 总被引:1,自引:1,他引:0
以硅烷化后吸附粒径小于10 nm的金种子的玻璃片为基底,聚乙烯吡咯烷酮为还原剂,在荧光灯照射条件下还原氯金酸,制备出表面具有金纳米粒子聚集结构的基底。用原子力显微镜、扫描电镜、X射线衍射、吸收和荧光光谱研究了基底的性质。结果表明:随着光照时间增加至20 h,金种子长大为平均粒径140 nm的不规则状多晶粒子,且出现双层粒子堆叠。基底的吸收光谱上出现了由金粒子的表面等离子体激元偶极子耦合引发的强烈吸收峰,随着粒子粒径增大,耦合峰在600~800 nm波段内连续红移升高,表明耦合程度不断增强。在223 nm紫外光的激发下,基底的荧光光谱上在405 nm处出现发射峰,是由金粒子表面激发电子和空穴的复合辐射造成的,发光强度随着基底上粒子平均尺度增加而减弱。 相似文献
996.
提出了一种基于FPGA+DSP的通用化嵌入式图像处理模块,可以用于不同的项目,只需要针对不同的项目设计不同的AD、DA和接口就可以了。该处理模块具有高性能、低功耗、低成本、可扩展、可重构、灵活性强等优点,可以大大降低开发成本和设计周期。 相似文献
997.
利用LPIC++程序模拟了超短超强脉冲与稀薄等离子体相互作用产生的背向受激Raman谱。结果证明:在极端相对论条件下,背向受激Raman谱不再是通常所指的弱耦合模式,而进入强耦合模式。频谱加宽,并融合在一起;各谱峰之间的频移不再以等离子体波的频率为间隔,而是小于电子等离子体波的频率。模拟了各种条件下的背向散射Raman谱特性,结果显示:随着密度的提高,背向受激Raman谱的强度也将提高,这与理论结果符合得较好。 相似文献
998.
采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。 相似文献
999.
1000.