Ce∶KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置 ,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律 ,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明 :6 32 .8nmHe Ne激光在Ce∶KNSBN晶体中写入体光栅时 ,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性 ,当入射光强大于 30mW /cm2 时 ,才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔Δt的变化进行了模拟计算 ,理论模拟结果与实验测量结果基本一致     

Ce:KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce：KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明：632.8 nm He-Ne激光在Ce：KNSBN晶体中写入体光栅时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,当入射光强大于30mW／cm^2时才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce：KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔△t的变化进行了模拟计算,理论模拟结果与实验测量结果基本一致。     

光扇效应对Ce：KNSBN记录偏振组态的影响

在非同时读出条件下 ,采用Ar+ 5 14 .5nm单色激光为光源。以信号光为非寻常偏振光 (e光 ) ,通过改变抽运光的偏振态 ,研究不同写入光偏振组态下Ce∶KNSBN晶体的两波耦合特性。结果表明 :由于光扇效应的影响 ,信号光和抽运光同为e光时并非如预测的那样为最佳记录偏振组态。在信号光和抽运光与晶体表面法线呈θ =11°角对称入射下 ,当抽运光的偏振方向与e光偏振方向呈 30°角时 ,光扇噪声得到明显抑制 ,两波耦合增益最大。其原因是抽运光的o光分量对光扇散射光起到了非相干擦除 ,使两波有效耦合得到提高。     

光扇效应对Ce∶KNSBN记录偏振组态的影响

在非同时读出条件下,采用Ar+ 514.5 nm单色激光为光源。以信号光为非寻常偏振光(e光),通过改变抽运光的偏振态,研究不同写入光偏振组态下Ce∶KNSBN晶体的两波耦合特性。结果表明     

Ce:KNSBN晶体光扇效应的入射光强度阈值特性研究

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体,系统研究了Ce:KNSBN晶体中光扇效应随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化情况.结果表明异常偏振光入射晶体时光扇效应明显,且存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2;相同光入射角下,稳态光扇强度随入射光强度的增强而明显变大;对应相同的入射光强度,稳态光扇强度随光入射角θ的增大而增大,当θ为15°时到达峰值,而后随θ的增大而逐渐减小.同时对光扇效应的入射光强度阈值特性以及稳态光扇强度随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化作出了相应的物理解释.     

泵浦光调制对Ce:KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善

实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声,Ce:KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善.     

Ce:KNSBN光折变晶体光栅衍射特性研究

研究了Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系, 分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因, 并用修正耦合波理论对实验结果进行了拟合。 实验结果为Ce:KNSBN晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

Ce∶KNSBN晶体光扇效应的入射光强度阈值特性研究

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射Ce∶KNSBN光折变晶体,系统研究了Ce∶KNSBN晶体中光扇效应随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化情况。结果表明异常偏振光入射晶体时光扇效应明显,且存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2;相同光入射角下,稳态光扇强度随入射光强度的增强而明显变大;对应相同的入射光强度,稳态光扇强度随光入射角θ的增大而增大,当θ为15°时到达峰值,而后随θ的增大而逐渐减小。同时对光扇效应的入射光强度阈值特性以及稳态光扇强度随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化作出了相应的物理解释。     

Ce∶KNSBN光折变晶体光栅衍射特性研究

研究了Ce∶KNSBN光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系 ,分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因 ,并用修正耦合波理论对实验结果进行了拟合。实验结果为Ce∶KNSBN晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

泵浦光调制对Ce∶KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善

实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响 ,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声 ,Ce∶KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善     

在局域非线性响应的光折变晶体中的对称光扇

在具有非局域非线性响应的所有光折变晶体中几乎都能观察到光折变光扇效应．最近我们在具有局域非线性响应的光折变晶体（LiNbO₃∶Fe）观察到对称光扇．基于前向简并三波作用，从理论上研究了这种对称光扇的形成 关键词：     

入射光参量对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2 mW/cm2时,Ifsat最大为0.7 mW/cm2;入射光强度为57.3 mW/cm2时,Ifsat最大为1.8 mW/cm2.     

光折变晶体中的稳态光扇

指出在高增益的光折变晶体内光束自身的多波混合是光扇形成的一个可能起因．通过光束自身的多波耦合作用，光能从低空间频率成分转移至高频成分上，从而形成宽角分布的扇形轮廓，所以放大噪声和放大光束中高频成分在光扇效应中都起重要的作用． 关键词：     

入射光调制对Ce∶KNSBN晶体两波耦合的影响

研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150 Hz;同一Ip/Is下,Io为57 mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175 Hz.     

Anisotropic conical scattering in photorefractive BaTiO3: diffraction efficiency measurements

The simultaneous presence of beam fanning and anisotropic conical scattering hinders the exact measurements on anisotropic conical diffraction. In this paper, a method is described for the measurement of diffraction efficiency of the gratings responsible for anisotropic conical scattering in a photorefractive BaTiO₃ crystal. Dependence of diffraction efficiency on the angle of incidence of the incident beam and the build-up processes of beam fanning and anisotropic scattering have been studied.     

Hanbury-Brown and Twiss type double-slit interference with photorefractive fanning light

This paper reports that when an intense extraordinary-polarized laser beam illuminates a photorefractive BaTiO₃ crystal, the dynamic beam fanning light is formed to be a thermal-like light source with a long correlation time and wide spectral bandwidth. The experimental results of the first- and second-order double-slit interference with such photorefractive fanning light source, can be understood with the theoretical simulation in terms of Hanbury-Brown and Twiss effect.