25MeV/u 6He+9Be破裂反应的α碎片发射

测量了在25MeV/u 6 He轰击9Be靶的破裂反应产生的α碎片双微分截面及角分布,并在Serber模型的框架下计算了在破裂反应中衍射破裂与擦去过程的贡献,并对结果进行了讨论. 结果表明基于包含衍射破裂和擦去过程的Serber模型可以对6He的直接反应进行较好地描述,擦去过程的贡献远大于衍射破裂的贡献. 相对于6Li而言,6He较大的去2n微分截面源于它的弱束缚特性.     

17N破裂反应产物的测量

利用RIBLL提供的丰中子放射性束测量了^17N在^197Au和^9Be靶上的破裂反应,用14单元阵列探测器测量得到了前角带电粒子产额和关联粒子对的破裂截面,得到了^17N在^197Au和^9Be靶上的带电粒子破裂截面比为4－5倍,结果表明对重靶核除了核破裂机制外还要考虑库仑破裂的贡献。     

一种测量次级中子能谱的新方法

采用双飞行时间法创建了一台非常规快中子飞行时间谱仪，排除了用D（d,n)^3He中子源测量8－13MeV能区次级中子双微分截面时源中破裂中子群对次级中子能谱测量的干扰，结合常规快中子飞行时间谱仪的测量，实现了用D（d,n)^3He中子源开展8－13MeV中子能区次级中子双微分截面的测量。     

散射粒子的相互作用对He(e,3e)五重微分截面的贡献

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

Scattering particle interactions to He( e, 3e) fivefoid differential cross-section contribution

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

晕核6He（25 MeV/u）在9Be上的破裂反应

25 MeV/u 6He+9Be反应的实验中利用多个探测器望远镜对反应产物进行了测量, 对实验中各个角度测量到的4He进行观察, 将其中两个有高能峰成分的探测器划分成三部分, 得到不同角度4He的单举能谱和破裂产生4He的微分截面. Different products of 6He nuclei from 9Be target has been measured with a 6He beam at energy of 25 MeV/u. The energy spectra at different angles for 4He isotope were analyzed and the experiment differential cross sections for the direct breakup reaction were obtained.     

低能He2+-He反应中单电子俘获微分散射过程的实验研究

利用冷靶反冲离子动量谱仪装置系统研究了20-40 keV He2+-He碰撞体系的态选择单电子俘获过程,实验获得了单电子俘获过程的态选择截面以及角微分截面.在所研究的能区范围,电子俘获到L壳层的截面最大,为主要的反应道,这与分子库仑过垒模型的反应窗理论的预测一致.实验测量的态选择截面与原子轨道紧耦合的计算结果很好地符合,与光谱方法的测量结果存在一定的差别,主要原因是光谱方法不能测量完整的反应通道信息.实验结果表明,总角微分截面在小角度范围主要来源于电子俘获到基态的贡献,在大角度范围主要来自电子俘获到激发态的贡献;电子俘获到基态的和激发态的角微分截面均出现振荡结构,这种振荡来源于电子俘获反应中分子轨道之间的相干效应.实验测量的角微分截面与其他实验和紧耦合方法的计算结果进行了比较和分析.     

30MeV/u 40 Ar+112,124Sn反应后角能谱温度的同位旋效应

在30MeV/u^40Ar 112,124Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量，在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3He,α和^6He能谱，发现^3He的能谱斜率温度在^124Sn系统中高于^112Sn系数，而^6He的温度在^112Sn系统中更高，a粒子在两个系统中没有明显差别，用热核粒子蒸发过程衰变道的选择对这种同位旋相关性进行了解释，GEMINI的计算不能重视实验结果。     

近垒能区^Li＋^208Pb熔合激发函数测量

测量了^Li ^208Pb熔合反应近垒能区全熔合截面，并与考虑非弹道耦合和不考虑耦合的CCFU5程序计算做了比较。结果表明在垒上能区，破裂使熔合截面减小，在垒下能区，破裂对熔合截面的影响基本上可以忽略。     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

核子动量分布对半经典扭曲波模型计算的影响

通过单体密度矩阵的Wigner变换把相干密度涨落模型引入半经典扭曲波模型,并应用于分析在80和160MeV入射能量时⁹⁰Zr(p,p′x)反应中非弹性散射到连续态的多步直接过程.包括三步过程的双微分截面计算值与实验值有较好的符合.考察了核子动量分布对双微分截面计算的影响,并细致分析了各个核子动量区间对截面的贡献. 关键词： 双微分截面 半经典扭曲波模型 相干密度涨落模型 多步直接过程     

中子与9Be和6,7Li反应的次级中子发射谱实验研究

测量了8.17MeV与10.27MeV中子与⁹Be和^6,7Li作用的次级中子双微分截面. 对于10.27MeV, 为了消除从D(d,np)破裂反应来的源破裂中子对双微分截面测量结果的影响, 采用了常规多探测器快中子飞行时间谱仪和非常规多探测器快中子飞行时间谱仪相结合的办法. 用Monte-Carlo方法对实验测量得到的飞行时间谱进行了详细的模拟, 通过测量谱与模拟谱的比较, 得到了实验测量的次级中子双微分截面. 实验测量结果以n-p(常规谱仪)和n-C(非常规谱仪)弹性散射微分截面作为归一. 测量结果与评价数据以及其他测量数据进行了比较. 用一个基于Hauser-Feshbach和激子模型的轻核核反应理论模型对^6,7Li的次级中子双微分截面进行了计算, 理论计算结果与实验结果符合得较好.     

17N破裂反应产物的测量

利用RIBLL提供的丰中子放射性束测量了17N在197Au和9Be靶上的破裂反应.用1?4单元阵列探测器测量得到了前角带电粒子产额和关联粒子对的破裂截面,得到了17N在197Au和9Be靶上的带电粒子破裂截面比为4—5倍,结果表明对重靶核除了核破裂机制外还要考虑库仑破裂的贡献.     

利用GEANT4研究轻带电粒子诱发反应出射中子双微分产额

轻带电粒子诱发反应产生次级中子的研究对于加速器屏蔽设计和优化具有重要意义。利用Geant4程序结合INCL、BIC、BERT物理模型分别计算了33 MeV的d核、65 MeV的3He核和4He核轰击厚的碳、铜和铅靶在轻带电粒子诱发反应产生次级中子的研究对于加速器屏蔽设计和优化具有重要意义。利用Geant4程序结合INCL、BIC、BERT物理模型分别计算了33 MeV的d核、65 MeV的3He核和4He核轰击厚的碳、铜和铅靶在$0^{\circ}$，$15^{\circ}$，$45^{\circ}$，$75^{\circ}$和$135^{\circ}$等方向出射中子的双微分产额，并与实验数据进行了比较。研究表明，对于33 MeV的d核诱发的核反应，INCL模型的计算结果基本上再现了碳靶和铜靶的实验数据，但高估了铅靶直接过程产生的中子。BIC模型和BERT模型的计算结果没有重现弹核削裂过程对应的宽峰。对于65 MeV的3He核诱发的核反应，三个模型的计算结果均未能重现前向角弹核削裂过程产生的中子，但在$15^{\circ}$，$45^{\circ}$，$75^{\circ}$和$135^{\circ}$上三个模型的计算结果与实验数据符合较好。对于65 MeV的4He核诱发的核反应，INCL模型的计算结果与碳靶和铜靶的实验数据符合较好，但低估了铅靶的中子产额。BIC模型和BERT模型的计算结果低估了碳靶的实验数据，且在大角度上略微高估了铅靶的实验数据。     

初态波函数对电子与He原子碰撞同时电离激发反应的影响

在电子碰撞He原子同时电离同时激发的（e, 2e）反应中,利用DWBA模型,考虑了入射通道基态He原子两种不同的初态波函数,计算了He原子同时电离激发反应的三重微分截面(TDCS),并与实验数据进行比较。结果表明,有关联的Sliverman波函数计算得到的TDCS与实验数据吻合的更好点。     

初态波函数对电子与He原子碰撞同时电离激发反应的影响

在电子碰撞He原子同时电离同时激发的(e,2e)反应中,利用DWBA模型,考虑了入射通道基态He原子两种不同的初态波函数,计算了He原子同时电离激发反应的三重微分截面(TDCS),并与实验数据进行比较.结果表明,有关联的Silverman波函数计算得到的TDCS与实验数据吻合的更好点.     

氦原子(e,3-1e)反应中未探测电子屏蔽效应的理论研究

在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究.计算了(e,3-1e)过程中入射能为640 eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响.所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合.     

高能π–p碰撞J/ψ+γ硬衍射产生

用I–S模型与夸克偶素的色八重态产生机制,对πp碰撞J/ψ+γ协同产生的单衍射过程的微分截面及总截面进行计算,结果表明,把J/ψ+γ协同产生的单衍射过程和单举过程相结合,可以探测Pomeron中的胶子成分并对硬衍射因子化进行检验.     

氦同位素被溴化氢散射的角分布

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了碰撞能量分别为60和100 meV时3He、4He、6He和7He被HBr分子散射的角分布,详细讨论了氦同位素对散射角分布的影响.结果表明:在相同碰撞能量时,随着同位素氯原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的质量越大,彩虹现象越明显.     

电子碰撞He(1s2)原子电离的初态依赖与角度关联的无关性

利用DS3C模型,考虑了入射道靶原子He基态几种不同关联形式的波函数 ,分别计算了He(1s2)(e,2e)反应的三重微分截面.结果表明,微分截面的角度分布与靶基态任何形式的关联无关,而主要取决于出射道粒子间的干涉、关联、交换和多体耦合的共同作用.