金属薄膜在云母与富勒烯衬底上的电阻弛豫现象

超高真空环境中，在云母和富勒烯衬底上蒸镀半连续的Nb和Ag膜，同时对其进行了原位电阻测量．在人为地突然中断蒸镀之后的10min内，仔细研究了样品电阻随时间的自动缓变过程（弛豫）．实验发现，Nb/云母和Ag/C₆₀样品的电阻随时间缓慢增加，Ag/云母样品的电阻随时间逐渐减小．样品弛豫的强度与衬底温度和金属膜厚度密切相关．分析表明，衬底上的金属原子徙动会引起金属岛的边际形变以及岛间融合，这是薄膜电阻弛豫的主要原因．电阻弛豫的方向与强度反映了金属膜/衬底系统的界面活性．衬底表面的缺陷也会影响这一弛豫过程．从微观的原子运动和宏观的热力学平衡这两方面描述了弛豫过程 关键词：     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ₂，并且大大增强了原有的Ｅ₀₁（０．２９８）和Ｅ₀₂（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ₀₃。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇₀₁（０．２１６），Ｅ＇₀₂（０．３４１），Ｅ＇₂，Ｅ＇₄和Ｅ＇₅（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ₀₁和Ｅ＇₀₁是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。 关键词：     

YBa2Cu3O6+δ/BaTiO3系复合功能陶瓷特性研究

报道了超导陶瓷ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_6+δ与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ₃进行复合的结果。研究了该复合功能陶瓷的物相、（超）导电性和低温电阻温度特性。结果表明，采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料；该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为，发现在较高ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_6+δ含量时，样品呈超导电性，并对此作了初步讨论。 关键词：     

典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性

通过制备（ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇）_1-x（Ｖ₂Ｏ₅）_x（０≤ｘ≤０．１５）复合材料，获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体，其中以ｄＲ／ｄＴ－Ｔ关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变，第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品，其临界电流密度一致地符合ｉ_c～（１－ｔ）^ｎ，ｎ＝１．６．这一行为与三维Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结网络系统的渗流行为相一致；对于不具有双峰转变的系统，临界电流密度随温度的变化尽管也可以用ｊ_c～（１－ｔ）^ｎ描述，但是幂指数ｎ明显地大于１．６，且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。 关键词：     

影响Salisbury屏高频响应的若干因数

应用传输线理论研究了金属薄膜Salisbury屏的反射率频谱特性，得到了Salisbury屏的反射系数公式和带宽系数的表达式.理论和数值分析表明，Salisbury屏的反射频谱是谐振型的；在谐振频率处，反射率的大小仅与金属薄膜的归一化面电阻α有关，而在其他频率处则取决于α和隔离层波阻抗η₂.反射率带宽系数Δ取决于反射率的考察值Γ_α,η₂和α.当α→α_c,η₂→η₀时，Δ取得极 关键词： Salisbury屏 反射率 频带宽度 金属薄膜     

Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3多晶体系中的小极化子性质

采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr_0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术（PLD）在SrTiO₃（100）衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度T_Ｃ以上的高温顺磁相都很好 关键词： 0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃')" href="#">Pr_0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃ 绝热小极化子模型 双交换作用 Jahn-Teller晶格畸变     

动态法拉第效应及其损耗机制

在磁光介质中，法拉第磁光效应的动态特性与静态特性具有明显的差别．交变法拉第旋转θ_t的实部θ′_t恒小于静态法拉第旋转θ_ｓ的实部θ′_ｓ，θ′_t＜θ′_ｓ，而虚部θ″_t＞θ″_ｓ．分析(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂磁光单晶薄膜法拉第效应的测量结果表明，在交流磁场频率ω＞10 关键词：     

R1-xPrxBa2Cu3O7-δ超导Tc平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ_1-xＰｒ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导Ｔ_c与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ_i≤ｒ_i（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ_c平台，并且平台宽度表明一个Ｒ^３＋离子尺寸效应。我们认为，Ｔ_c平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ^３＋离子半径ｒ_ic，ｒ_i＞ｒ_ic时ＲＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导电性消失 关键词：     

CH2Br2的同步辐射光电离研究:10—12eV范围内CH2Br2的振动自电离态

报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ₂Ｂｒ₂的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺）的光电离产率曲线，获得ＣＨ₂Ｂｒ₂的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺的最低三个电子激发态，即Ａ（²Ａ₂），Ｂ（²Ｂ₁），Ｃ（²Ａ₁）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ₂Ｂｒ₂自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ^-1，对应于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ₉），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂，ｖ⁺）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ₂Ｂｒ₂光解离电离产生离子型自由基ＣＨ₂Ｂｒ⁺（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属 关键词：     

Y0.9Eu0.1Ba2Cu3O7-δ中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ和Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1Ｂａ₂·Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ_c（Ｔ）和Ｕ_eff（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ相比，Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1·Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 关键词：     

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

在低温Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜，其择优取向为（008）和（115）．薄膜厚度约为200nm．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm²和57kV/cm，在10¹⁰次开关极化后没有显示任何疲劳，在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10^-8A/cm²，直流击穿电场约为250kV/cm 关键词：     

Tm3+,Yb3+共掺ZBLAN玻璃中的能量传递与上转换

ＺＢＬＡＮ∶Ｔｍ³⁺，Ｙｂ³⁺玻璃在９７０ｎｍ二极管激光照射下发射明亮丰富的蓝、红上转换荧光．¹Ｇ₄和³Ｆ₄能级的发光是由Ｙｂ³⁺向Ｔｍ³⁺的逐步能量传递而来．而¹Ｄ_２能级发光是进一步由Ｔｍ³⁺离子之间的交叉能量传递而来．分析了Ｔｍ³⁺离子间的交 关键词：     

铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ^-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ^-1． 关键词：     

In situ preparation of Bi-Sr-Ca-Cu-O superconducting films by laser sputtering

Superconducting films of Bi-Sr-Ca-Cu-O on (100) MgO substrates have been fabricated by XeCl-excimer-laser sputtering from ceramic targets of Bi_2.5Sr₂Ca₂Cu₃O_y in O₂ atmosphere. The films were polycrystalline with the c-axis (30.80±0.02Å) preferably oriented normal to the substrate surface. Without post-annealing the films showed metallic resistance behavior with zero resistance temperatures of up to T_c(0) }- 79 K. The critical current density of the films had values of up to j_c(50K)}- 10⁴ A/cm².     

三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究

本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO₂膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO₂膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H₂O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T 关键词：     

CCl4,CH2Cl2和CHCl3对磷脂酰胆碱紫外电子吸收光谱的影响

测量了ＣＣｌ₄，ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃对生物膜中磷脂酰胆碱作用的紫外电子吸收光谱，实验结果表明，由于ＣＣｌ₄，ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃分子结构的差异，三种溶剂的极性依次递增，磷脂酰胆碱π－π^*电子跃迁的吸收峰红移。磷脂酰胆碱在ＣＣｌ₄中光谱呈单吸收峰，在ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃中光谱特征呈双蜂结构，存在聚集体的激子态跃迁，由此给出了脂质分子聚集状态的光谱依据。 关键词：     

Influence of sp 3 fraction on the field emission properties of tetrahedral amorphous carbon films formed by magnetic filtered plasma stream

Electron field emission properties of tetrahedral amorphous carbon films (ta-C) with various sp³ fractions, [sp³]/([sp²]+[sp³]), prepared by magnetic filtered plasma deposition system, were investigated. The ta-C films were deposited on (100) n-Si wafer with a resistivity of 0.01–0.02 cm in a substrate bias voltage V_b range from +20 V to -80 V. The relative fraction of sp³-bonded carbon in these films was qualitatively and quantitatively estimated by a fitting of the Raman and XPS spectra, respectively. Results show that ta-C films of high sp³ fraction, more than 80%, can be formed with a substrate bias voltage V_b in the range from -10 to -50 V. A remarkably low turn-on field of about 1.7 V/m was observed for these samples. For V_b outside this range, the sp³ fraction is lower. The surface of such ta-C films was found to be smooth and uniform from the images of atomic force microscopy. The sp³ fraction of the sample is believed to be the main factor affecting field emission properties of ta-C films. PACS 79.70; 78.30; 73.90.+f     

ThO2的比热

ＴｈＯ₂的比热Ｃ_p是其它用作核反应堆燃料的锕系二氧化物例如ＵＯ₂ＰｕＯ₂等的Ｃ_p中的声子部分．它的精确确定有助于弄清其它因素对锕系二氧化物Ｃ_p的贡献．通过对ＴｈＯ₂的Ｃ_p的研究发展了一个可用于研究其它固体Ｃ_p的普遍方法．在这种方法里，对一种固体的三种不同性质的实验测量——比热、热膨胀和Ｄｅｂｙｅ-Ｗａｌｅｒ因子