NiMn2O4纳米粉体的相变过程和晶粒生长行为研究

采用溶胶凝胶法（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）制备ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）法，热分析仪研究ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体的相变过程．用Ｘ射线衍射线线宽法，透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究晶粒长大行为．研究结果表明：热处理温度小于６７０°Ｃ，存在非晶晶化过程和向ＮｉＭｎ２Ｏ４尖晶石主晶相转变等相变过程，晶粒尺寸缓慢增大，热处理温度在于６７０°Ｃ，粉体的相结构为ＮｉＭｎ２Ｏ４尖晶石相．晶粒尺寸较快增长．相变过程严重影响了晶粒长大行为．     

负载型La—Sr—Mn—O催化剂二甲苯氧化的催化活性

利用浸渍法制备了Ｌａ－Ｓｒ－Ｍｎ－Ｏ系负载型燃烧催化剂，ＸＲＤ相分析结果得到多在孔陶瓷载体表面形成了钙钛矿型氧化物Ｌａ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３，负载型和非负载型纯钙钛矿相催化剂二甲苯完全氧化活性数据表明，Ｌａ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３复合氧化物负载子多孔陶瓷上，不仅改善了催化剂的机械强度，共燃烧活性也得到显著提高。     

多媒体远程教育网中基于Mobile Agent的网络管理

介绍了ＭｂＭＡ（Ｍａｎａｇｅｍ ｅｎｔ ｂｙ Ｍｏｂｉｌｅ Ａｇｅｎｔ）的系统组成及ＭｂＭＡ 中Ａｇｅｎｔ的分类和各自的功能,提出了基于Ｍｏｂｉｌｅ Ａｇｅｎｔ的多媒体远程教育网的网管体系,由于引入了能够集成ＳＮＭＰ设备的ＭｂＭＡ 代理服务器,增强了该体系的实用性．     

TSETV的研制及其与AES联用技术研究

提出了一种简单、有效的微进样装置──钨丝电热蒸发进样装置（ＴＳＥＴＶ），并把该装置与电感耦合等离子体发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）及直流电弧发射光谱（ＤＣ－ＡＥＳ）联用．对该装置本身及与其ＩＣＰ－ＡＥＳ，ＤＣ－ＡＥＳ的联用技术、分折性能作了详细研究．用ＴＳＥＴＶ－ＤＣ系统得到了Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｒ和Ｍｇ的检出限为１０－８～１０－１０ｇ（１０μＬ进样），相对标准偏差明显优于常规ＤＣ系统．并用该法分析了纯ＮａＣｌ中痕量Ｃｕ及水样中Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎ，所得结果同ＩＣＰ－ＡＥＳ及石墨炉原子吸收（ＧＦ－ＡＡＳ）所得结果相吻合．用ＴＳＥＴＶ－ＩＣＰ系统得到了Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｙｂ，Ｌｕ和Ｙ的检出限为１０－９～１０－１１ｇ（１０μＬ进样），相对标准偏差低于６％．并用该方法分析了白酒及大米中痕量Ｃｕ，Ｍｎ及江西稀土矿区谷物样品中痕量稀土元素，结果满意．实验表明，ＴＳＥＴＶ具有操作方便，进样量小，能把试样的蒸发和激发过程分开的优点．     

分子内相互作用的认知: 二茂铁共轭联多吡啶配体及其配合物的结构及性质

报道了６－二茂铁基－２，２－联吡啶（ｆｃｂｐｙ）配体和４－二茂铁基－２，２，６，２″－联三吡啶（ｆｃｔｐｙ））的Ｍｎ（Ｉ）配合物１（［Ｍｎ（ＩＩ）（ｆｃｔｐｙ）２］（ＣｌＯ４）２·２Ｈ２Ｏ）的晶体结构．电化学研究结果显示：联多吡啶取代基的吸电子诱导效应使二茂铁部分的氧化电位发生了明显的正移．而配体ｆｃｔｐｙ与其配合物１的结构比较表明：Ｍｎ（Ｉ）离子的引入对配体部分的键长却没有明显影响     

两类新的酰胺型和酯型双冠醚的合成

用邻、间、对苯二氧乙酰氯分别与４′－氨基苯并－１５－冠－５缩合，制得了３种酰胺型双冠醚（８ａ，８ｂ，８ｃ）；再以上述３种二酰氯与６－羟基二苯并－１６－冠－５缩合，得到３种双酯型双冠醚（９ａ，９ｂ，９ｃ）．上述６个双冠醚均未见文献报道，其结构通过元素分析、ＩＲ、１ＨＮＭＲ及ＭＳ进行了表征和确认．     

三层膜中特殊的磁电阻效应

本文研究了ＬＳＭＯ／ＰＣＭＯ／ＬＳＭＯ三层膜的运输性质和磁电阻电磁特性，随中间层Ｐｒ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３＋δ厚度的增加，在零磁场下，三层膜的电阻率显著下降，在磁场为Ｈ＝０．７５Ｔ，磁电阻效应在减少，转变温度向高温区移动，而且，热激活能在减少，中间层不仅诱发了内磁场，还诱发了ＬＳＭＯ的能隙中的态密度。     

Hamiltonicity in 2-Connected Claw-Free Graphs

Ｈａｍｉｌｔｏｎｉｃｉｔｙｉｎ２－ＣｏｎｎｅｃｔｅｄＣｌａｗ－ＦｒｅｅＧｒａｐｈｓ￥ＬｉＭｉｎｇｃｈｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＷａｙｎｅＳｔａｔｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｄｅｔｒｏｉｔ，ＭＩ４８２０２Ｕ．Ｓ．Ａ）Ａｂｓｔｒａｃ...     

Mn（Ⅱ）催化试剂HQSAH氧化的动力学研究

本文确定了Ｍｎ（Ⅱ）催化溶解氧氧化ＨＱＳＡＨ的动力学方程，测定了反应速率和表观活化能，初步探讨了催化反应机理。     

基于限幅电压开关理论的nMOS四值触发器设计

本文应用限幅电压开关理论设计了两种主从型ｎＭＯＳ四值触发器．这些触发器具有双端预置能力和双轨互补输出，容易用于四值时序电路设计．     

强磁场中氢负离子的基态与低激发态

在球坐标系下采用组态相互作用方法,计算了磁场中氢负离子基态与低激发态的能量和结合能.在径向采用高阶B-spline基组,有效地处理了电子关联;角向采用超球谐函数基组,简化了矩阵元角度部分的计算,使计算效率得到了大幅度的提高.用上述方法计算的磁场中氢负离子基态与低激发态能量的高精度结果与已有理论和计算数据作了详细的比较.结果表明,此方法适用于磁场为β=0.000 1~1.0（此处β=1.0时,对应磁场为4.710 8×105T）范围内的精确计算.     

FenCo和FenNi（n≤5）小团簇的密度泛函理论研究

用密度泛函理论研究了小团簇FenCo和FenNi（n≤5）的基态几何结构、电子特性和磁性．发现Fe4Ni团簇具有幻数结构,而对于FenCo团簇没有发现幻数结构．所有这些团簇旱铁磁性而且其自旋磁矩都大于对应块体的磁矩．一般认为团簇的磁矩受几何结构影响很大,然而这蝗小团簇的自旋磁矩对结构不敏感,我们认为出现这种奇特现象的主要原因是当结构变化时自旋向上和自旋向下的最高占据态对应能级高低序列保持小变．     

Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系（Li_1.1（Zn_1-xCr_x）As）（x=0.1） 的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.     

介孔网络电路

用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.     

1-取代-2-羟氨苯并咪唑衍生物的密度泛函理论计算

1-取代-2-羟氨苯并咪唑类化合物是1-取代-2-氨基苯并咪唑衍生物氧化代谢产生的具有强毒性的不稳定中间体.本文运用密度泛函理论（DFT）量子化学方法,计算得到了8种1-取代-2-羟氨苯并咪唑衍生物的电子结构性质.结果表明,取代基团的引入使咪唑环上C-N键长发生明显改变,N原子上负电荷减少;取代基团的引入对偶极矩、垂直电离势、垂直电子亲合能、化学势、电负性和亲电性等都有较为显著的影响,这些电子结构性质与化合物的毒性息息相关.通过计算得到了吸收光谱数据,取代基团的引入使垂直激发能变大,谐振子强度明显减小,最大吸收波长发生蓝移.量子化学结果为1-取代-2-氨基苯并咪唑衍生物的氧化代谢实验研究和毒性机理揭示提供重要信息.     

GaAs掺Mn材料的局域电子结构和磁性

运用原子团模型研究了稀磁半导体GaAs掺Mn的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Mn原子磁矩随掺杂浓度没有明显的变化,磁矩的数值与实验符合的较好.在包含两个Mn原子的体系中Mn原子之间是铁磁性偶合,表明体系具有铁磁性基态,每个Mn原子的磁矩与掺杂一个Mn原子时相近.对于不同的掺杂浓度,Mn原子与最近邻As原子之间均为反铁磁偶合,Mn原子的3d电子与As原子的4p电子之间有很强的杂化.     

Zeeman效应中外磁场临界值的计算公式(英)

本文根据Dirac相对论量子力学理论，分析了不同强弱外磁场下的Zeeman效应与反常Zeeman效应．导出了外磁场强弱划分临界值的计算公式，计算结果表明计算值与报道的实验值很好地吻合．     

用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构

在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明：当量子点高度增大时（从1 nm到10 nm）,其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.     

鸟嘌呤质子互变反应机理的DFT研究

在密度泛函B3LYP/6-311G++**理论水平上,对气相和水相鸟嘌呤的两种形式(烯醇式与酮式)之间的质子转移(Path A:分子内和Path B:水助质子转移)互变异构体及其过渡态进行了几何构型全自由度优化,获得它们在气相和水相中的几何结构和电子结构,将PCM(极化连续介质模型)反应场溶剂模型用于水相计算.结果显示,在气相和水相中,烯醇式的稳定性大于酮式.Path A的过渡态结构为平面四元环,而Path B的过渡态结构为平面六元环;Path B所需活化能较低,约为Path A所需活化能的1/2.     

AlB2的状态方程

在用ＬＭＴＯ方法计算ＡｌＢ_２的电子结构及其高压下变化的基础上,计算了Ｈ（ｘ）函数．计算表明ｌｎＨ（ｘ）与１－ｘ有很好的线性关系,说明有混合键型的化合物ＡｌＢ_２符合Ｖｉｎｅｔ等人提出的固体普适状态方程（ＵＥＯＳ）,并对等温压强与体积关系进行了计算．