GaAs掺Mn材料的局域电子结构和磁性

运用原子团模型研究了稀磁半导体GaAs掺Mn的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Mn原子磁矩随掺杂浓度没有明显的变化,磁矩的数值与实验符合的较好.在包含两个Mn原子的体系中Mn原子之间是铁磁性偶合,表明体系具有铁磁性基态,每个Mn原子的磁矩与掺杂一个Mn原子时相近.对于不同的掺杂浓度,Mn原子与最近邻As原子之间均为反铁磁偶合,Mn原子的3d电子与As原子的4p电子之间有很强的杂化.     

Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性

采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型 (111) Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外( FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si-H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K). 部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.     

Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的半金属铁磁性和光学性质

采用密度泛函理论(DFT)和平面波赝势(PWPP)方法,研究了Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的电子结构、磁性质和光学性质.自旋极化的态密度和磁矩显示Mn掺杂闪锌矿ZnO是一个半金属铁磁体,其在自旋电子学材料中有一定的应用.利用Kramers-Kronig色散关系,对Mn掺杂闪锌矿ZnO的介电函数和折射率进行了研究,根据计算的电子结构和光学性质的内在联系,解释了Mn掺杂闪锌矿ZnO的光学性质的微观机理.     

聚苯胺对2Cr13不锈钢无氧钝化的机理探讨

将掺杂态聚苯胺（PANI）制备成单独的PANI膜电极,研究了该电极在敞开、除氧条件下,在酸性介质中的性质及其与2Cr13不锈钢的电化学偶合行为．结果发现无论是在有氧还是除氧条件下,PANI膜与2Cr13不锈钢以面积比1：1偶合时,PANI均能使2Cr13不锈钢稳定钝化．根据电化学实验及光电子能潜（XPS）表征结果,提出了掺杂态PANI对2Cr13不锈钢的防腐蚀作用来自伽伐尼阳极保护作用,PANI膜在酸性溶液中通过交替电化学脱杂与掺杂为金属钝化提供了必须的阳极电流．     

RhnCr(n=1～7)团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究

采用基于广义梯度近似的密度泛函理论研究了铬掺杂铑团簇RhnCr(n=1～7)的几何结构、稳定性及电子结构.结果表明:Rh3Cr具有较高的稳定性,可视为幻数结构团簇;给定尺寸时所研究RhnCr混合团簇表现出明显的磁性结构依赖关系;相较纯Rhn+1,RhnCr在n=3、5、6时团簇磁矩增大;多数情况下,相对于纯Rh团簇,Cr掺杂增强了团簇反应活性.     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

用原子团模型研究MuSb（Pt）的电子结构和磁学性质

使用原子团嵌入模型和自洽场自旋极化离散变分（ＤＶ）Ｘａ方法，对ＭｎＳｂ的电子结构和自旋磁矩进行了计算，并研究了Ｐｔ掺杂对ＭｎＳｂ电子结构与磁性的影响，讨论了ＭｎＳｂＰｔ中Ｋｅｒｒ偏转角显著增大的原因．     

若干运算图的倍乘赋权Harary指标

ALIZADEH等近期提出了一个修正的Harary指标,即顶点对的贡献被赋予其度的乘积.其指标被称为倍乘赋权Harary指标,定义为H_M（G）=Σ_u≠v（δ_G（u）δ_G（v））（d_G（u,v））,其中,δ_G（u）表示顶点u在图G中的度,d_G（u,v）表示2个顶点u和v在图G中的距离.给出了张量积G×K_r,强积GK_r,圈积G₁oG₂的倍乘赋权Harary指标值的精确计算公式,这些公式与图的其他不变量（如倍加赋权Harary指标、Harary指标、第1类和第2类Zagreb指标、第1类和第2类反Zagreb指标）有关.此外,利用所得结果计算了开栅栏与闭栅栏的倍乘赋权Harary指标.     

电压敏感性隔膜用于锂离子电池可逆过充保护

研制了一种具有电压敏感功能并可为4．20V级锂电池和锂离子电池提供可逆过充保护的新型复合聚合物膜．这种膜由聚对苯（PPP）和聚苯胺（PAn）膜复合而成，在无掺杂的本征状态下为电子绝缘体；在高的氧化电势下因发生p-掺杂而变成电子导体；在正常工作电压下又因脱杂而恢复成电子绝缘体．因而，它可以作为一种电压敏感性隔膜用于防止电池过充．在Li／LiMn2O4模拟电池中的应用研究结果证实，在长时间的过充条件下，这种复合隔膜仍能够有效地钳制电池的充电电压，从而为电池提供町逆的过充保护．在正常充放电条件下，复合隔膜对电池性能没有产生负面影响．     

Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能

用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO_3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi_(0.85)Ho_(0.15)FeO_3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的品格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO_3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为1 50 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15 μC/cm~2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.     

非线性项在零点非渐进增长的四阶边值问题单侧全局分歧

We present a Dancer-type unilateral global bifurcation result for a class of fourth-order two-point boundary value problem x"+kx"+lx=λh(t)x+g(t, x,λ), 0< t< 1,x(0)=x(1)=x'(0)=x'(1)=0. Under some natural hypotheses on the perturbation function g:(0,1)×R²→R, we show that (λ_k, 0) is a bifurcation point of the above problem. And there are two distinct unbounded continuas, C_k⁺ and C_k^-, consisting of the bifurcation branch C_k from (λ_k, 0), where λ_k is the k-th eigenvalue of the linear problem corresponding to the above problems. As an application of the above result, the global behavior of the components of nodal solutions of the following problem x"+kx"+lx=rh(t)f(x), 0< t< 1, x(0)=x(1)=x'(0)=x'(1)=0 is studied. We obtain the existence of multiple nodal solutions for the problem if f₀=∞, f_∞ ∈ (0, ∞), f₀=f(s)/s, f_∞=f(s)/s.     

变系数耗散波动方程的能量衰减估计

研究了在（0,∞）×Rⁿ上,变系数耗散波动方程的能量在外区域上的衰减估计,得到：若初值{u₀,u₁}属于能量空间且具有紧支集,则在Rⁿ上存在一个外区域X_m,使得对任意t ≥ 0和m>0,有进一步,若u₀+u₁=0,还可以得到∫_Xm|u|²dx ≤ C（1+t）^-m,t ≥ 0.     

改性磁铁矿/H_2O_2非均相类Fenton体系催化降解橙黄Ⅱ的研究

为了提高非均相类Fenton体系的催化效率,采用浓硫酸对磁铁矿粉进行表面改性,得到改性磁铁矿(M-Fe_3O_4).探究以M-Fe_3O_4为催化剂的非均相类Fenton体系对橙黄Ⅱ的氧化降解效果,并考察M-Fe_3O_4投加量、H_2O_2投加量、反应初始pH值等因素对橙黄Ⅱ脱色率和TOC去除率的影响.XRD、TEM和FT-IR表征结果表明,表面改性后M-Fe_3O_4粒径减小,比表面积增加,且表面覆盖硫酸铁混盐等活性组分.与磁铁矿/H_2O_2和FeSO_4/H_2O_2两体系相比,M-Fe_3O_4/H_2O_2非均相类Fenton体系对橙黄Ⅱ(初始浓度为500mg·L~(-1))的降解效率明显提升.在最佳反应条件(pH=6,M-Fe_3O_4投加量为0.25g·L~(-1),H_2O_2投加量为4mL·L~(-1))下,橙黄Ⅱ脱色率达到92%,TOC去除率达到47%,为实际废水处理应用提供了实验支撑.     

临界半线性波动方程解的有限时间破裂

研究了带临界指标的半线性波动方程u_tt-Δu=（1+|x|²）^α|u|^p小初值Cauchy问题解的破裂,证明了该问题在p=p_c（n）时不存在整体解.     

有限域上广义Markoff-Hurwitz-type方程的有理点个数

设N_q表示有限域F_q上广义Markoff-Hurwitz-type方程的有理点个数（a₁x₁^m₁+a₂x₂^m₂+…+a_nx_n^m_n）^k=cx₁^k₁ x₂^k₂…x_t^k_t,其中n ≥ 2, m_i, k, k_j和t ≥ n是正整数,a_i,c属于F_q^*,其中1 ≤ i ≤ n, 1 ≤ j ≤ t. 最近有研究推广了Carlitz的结果,给出了上述方程当k=k₁=…=k_t=1时的有理点个数. 当未定元的指数满足一定条件时,本文给出了上述广义方程的有理点个数,推广了已有结论.     

有界线性算子的a-Browder定理及(R1)性质

给出了有界线性算子满足a-Browder定理且具有(R₁)性质的充要条件，研究了算子函数满足a-Browder定理且具有(R₁)性质的判定方法，应用所得结论，给出了一类重要算子及其函数满足a-Browder定理且具有(R₁)性质的判别定理。     

时间尺度上二阶拟线性阻尼动力方程的振动性分析

研究二阶拟线性时滞阻尼动力方程[a(t)|x^Δ(t)|^λ-1x^Δ(t)]^Δ+b(t)|x^Δ(t)|^λ-1x^Δ(t)+p(t)|x(δ(t))|^λ-1x(δ(t))=0的振动性，其中t ₀∈T，而T为任意时间尺度，考虑方程是非正则情形，即$\int^{∞}_{t_0}$[a^-1(s)e_-b/a(s,t₀)]^1/λ Δs < ∞。 通过引入广义Riccati变换，借助时间尺度上的有关理论，并结合不等式技巧，建立了该方程振动的一些新的充分条件，推广、改进并丰富了现有文献中的结果。     

铜掺杂对Fe/β催化剂NH_3-SCR催化性能的影响

制备了一系列Cu掺杂量不同的Fe/β(40)催化剂,并采用ICP-AES、XRD、H2-TPR、UV-vis和XPS等表征技术分析了催化剂的物化性质.结果表明,适量的铜掺杂能大大提高Fe/β(40)催化剂的低温活性,拓宽其活性温度窗口,但过量的Cu掺杂会降低催化剂的N2选择性.Cu掺杂质量比为1.27%Cu-2%Fe/β(40)的催化剂具有最佳的SCR性能,这与催化剂中存在较多离子交换位的Fe~(3+)和Cu~(2+)物种有关,而存在较多的CuO物种会促进氨高温氧化,使催化剂的N2选择性降低且高温窗口变窄.高温水热条件下Cu的存在可能使Cu、Fe物种更容易发生迁移和团聚,导致Cu-Fe/β(40)催化剂的水热稳定性明显变差.     

具有服务等级的可拒绝平行机排序问题

研究了将服务等级与拒绝费用2种模型复合起来的平行机排序问题.设有2台平行机M₁,M₂,加工速度相同;n个工件J₁,J₂,…,J_n分别按列表在线到达,每个工件J_j含有3个参数：加工长度t_j、拒绝费用p_j以及服务等级g_j=1,2.当工件到达时,可以接收加工,占用一定的加工时间;亦可拒绝,付出相应的罚值.目标为被接收工件的最大完工时间与被拒绝工件的总罚值之和最小.进一步,当且仅当g（M_i）≤g_j时,工件J_j可以分配给机器M_i加工,即机器M₁可以加工所有工件,机器M₂只能加工等级为g_j=2的工件,允许中断加工.设计了在线算法PH,并证明其竞争比为1+(√2)/(2)≈1.707,下界为1.618,上下界差约为0.089.