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KCdF3晶体中Cr3+-Li+中心局域结构研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系,研究了双掺杂晶体KCdF3:Cr3+,Li+的局域结构。指出,对于KCdF3:Cr3+,Li+晶体,四角晶场的形成包含两个方面:(1)由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场;(2)Cr3+的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上,当Cr3+和Li+掺入KCdF3晶体时,Cr3+代替了Cd2+离子;由于Cr3+离子与Cd2+离子的半径不同、电荷不同、质量不同,导致Cr3+的局域结构发生晶格畸变,由此而产生四角对称晶场;由于电荷补偿,Li+离子取代了[001]方向与Cr3+离子邻近的Cd2+离子,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样,Cr3+的局域结构由Oh对称变为C4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上,研究了KCdF3:Cr3+,Li+晶体的ZFS参量,理论结果和实验符合很好。得到了F-离子向中心离子分别移动为ΔR1=0.00268nm,ΔR2=0.001nm,ΔR3=0.00165nm。 相似文献
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采用高温固相法合成Sr3B2O6:Eu3+,Li+红色荧光粉,考察了激活剂Eu3+和电荷补偿剂Li+浓度对Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发光性能的影响。结果表明:适量掺杂Eu3+、Li+离子并不改变Sr3B2O6的结构。当Eu3+掺杂量为4%、Li+的掺杂量为8%时,在900 ℃下灼烧2 h可以得到发光性能最佳的Sr2.9B2O6:0.04Eu3+,0.08Li+红色荧光粉。以394 nm的近紫外光激发时,Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发射出红光,对应于Eu3+的4f-4f 跃迁,其中以614 nm附近的5D0→7F2跃迁发光最强,是一种有潜力用于白光LED的红色荧光粉。 相似文献
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本文采用高温固相反应法制备了Ba5SiO4Cl6: Yb3+, Er3+, Li+ 荧光粉, 并对其上转换发光性质及其发光机理进行了研究. 在980 nm 激光的激发下, Ba5SiO4Cl6: Yb3+, Er3+ 荧光粉呈现较强的红色(662 nm) 和较弱的绿色(550 nm) 的上转换发光, 红色和绿色的上转换发光分别对应于Er3+ 离子的4S3/2/2H11/2→4I15/2 和4F9/2→4I15/2 跃迁, 且随着掺杂的Er3+ 和Yb3+ 离子浓度增加, 样品的上转换发光强度增加, 这是因为Yb3+ 离子和Er3+ 离子之间的能量传递效率增加引起的. 在0.5—0.8 W 功率激发下,样品属于双光子发射, 而在0.9—1.2 W 功率激发下样品具有新的上转换发光机理——光子雪崩效应. 探讨了Li+ 掺杂对Ba5SiO4Cl6: Yb3+, Er3+ 样品的上转换发光性质的影响, Li+ 离子的掺杂引起Ba5SiO4Cl6:Yb3+, Er3+ 上转换发光强度增加, 这是由于Li+ 离子的掺入降低了晶体场的对称性引起的. 相似文献
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以MCM-41为硅源,采用共沉淀法制备Sr2-xSiO4:xCe3+(x=0.01~0.09,步长为0.01)和Sr1.95-ySiO4: 0.05Ce3+,yLi+(y= 0.01~0.07,步长为0.02)蓝紫色荧光粉。Sr2-xSiO4:xCe3+的发射光谱是一个不对称的宽带,最大峰值在410 nm左右。Ce3+的最佳掺杂量为5%。Ce3+离子倾向于占据九配位的Sr(Ⅱ)格位。共掺电荷补偿剂Li+可以有效地提高Sr1.95SiO4: 0.05Ce3+的发光强度,其中Li+离子对1 100 ℃煅烧样品的发光强度的提高程度比1 000 ℃的更高,Li+的最佳掺杂量为y=0.05。 相似文献
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CaMoO4:Eu3+,Bi3+,Li+红色荧光粉的共沉淀制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法合成了红色荧光粉Ca0.75MoO4:Eu0.253+、Ca0.75MoO4:Eu0.25-x3+,Bix3+及Ca0.5MoO4:Eu0.25-2x3+, Bix3+,Li0.25+x+,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱,扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)测定分析了其结构形貌特征及发光性能。结果表明:制备的CaMoO4:Eu3+,Bi3+,Li+红色荧光粉为白钨矿结构,颗粒尺寸约为0.5~1 μm。掺杂Bi3+的Ca0.75MoO4:Eu0.25-x3+,Bix3+的相对发光强度明显高于未掺Bi3+的Ca0.75MoO4:Eu0.253+荧光粉。Bi3+离子的掺杂将吸收来的能量传递给激活离子Eu3+,起到了能量传递的作用。当Bi3+掺杂量为x=0.005时,在395 nm激发下,主发射峰在616 nm处的相对发光强度最大,但掺杂浓度过高时会出现浓度猝灭现象。另外,电荷补偿剂的掺入能够解决材料中因同晶取代引起的电荷不平衡的问题,以Li+作电荷补偿剂、Eu3+和 Bi3+共掺合成的Ca0.5MoO4:Eu3+0.23,Bi0.013+,Li+0.26红色荧光粉的发光性能强于Ca0.75MoO4:Eu0.253+、Ca0.5MoO4:Eu0.253+, Li0.25+及Ca0.75MoO4:Eu0.243+,Bi0.013+。 相似文献
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在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li3VO4-Li4TO4(T=Ge,Si)系统不同成分的7Li的NMR谱。发现γII相固溶体室温7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T1的值都比Li4GeO4,Li4SiO4和Li3VO4小约一个数量级。这表明在γII相固溶体离子导体中,Li+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γII相的不同成分中,间隙Li+离子占有的不等价位置个数不同,而Li+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。
关键词: 相似文献
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采用高温固相法制备了LiSrBO3:xEu3+ 荧光粉, 并通过XRD, 红外(FITR) 和荧光光谱(PL) 等对其表征. 结果表明, LiSrBO3: Eu3+ 荧光粉可被波长为395 nm 的紫外线和466 nm 的蓝光有效激发, 且发射主波长为612 nm (Eu3+的电偶极跃迁5D0 →7F2) 的红光. 研究了Eu3+ 掺杂浓度对LiSrBO3: Eu3+ 材料发光强度的影响, Eu3+ 掺杂浓度为6% 时样品的发射强度最大, 并且证实Eu3+ 之间的能量传递机制为电偶极子- 电偶极子相互作用. Li+, Na+, K+ 作为电荷补偿剂的引入全部导致LiSrBO3: Eu3+ 材料发射强度增强, 其中, Li+ 的引入要优于Na+ 和K+. 少量Al3+的掺杂降低了Eu3+ 所处格位的对称性, 增强了Eu3+ 的612 nm 的电偶极发射, 改善了LiSrBO3: Eu3+ 红色材料的色纯度.
关键词:
白光发光二级管
光致发光
浓度猝灭
电荷补偿剂 相似文献
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采用燃烧法制备了Gd2O3:Sm3+和Li+离子掺杂的Gd2O3:Sm3+纳米晶,根据X射线衍射图谱确定所得纳米样品为纯立方相。在室温下,用275 nm和980 nm激发光激发各样品时,可分别观测到Sm3+离子的强荧光发射和上转换特征发射,其主发射峰分别位于560,602,650 nm处,分别对应着Sm3+离子的4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2的电子跃迁,其中以4G5/2→6H7/2跃迁的光谱强度最大。实验表明Li+离子的掺入使得Sm3+离子的荧光发射强度显著增加。通过对样品的XRD、TEM和激发光谱、发射光谱的研究,分析了引起样品荧光强度变化的原因。 相似文献
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采用高温固相法制备了Ca2SiO4:Dy3+发光材料.在365nm紫外光激发下,测得Ca2SiO4:Dy3+材料的发射光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于486nm,575nm和665nm处;监测575nm发射峰,测得材料的激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于331nm,361nm,371nm,397nm,435nm,461nm和478nm处.研究了Dy3+掺杂浓度对Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱及发光强度的影响,结果显示,随Dy3+浓度的增大,黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大,利用Judd-Ofelt理论解释了其原因;随Dy3+浓度的增大,Ca2SiO4:Dy3+材料发光强度先增大,在Dy3+浓度为4 mol%时到达峰值,而后减小,根据Dexter理论其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.研究了电荷补偿剂Li+,Na+和K+对Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱的影响,结果显示,不同电荷补偿剂下,随电荷补偿剂掺杂浓度的增大,Ca2SiO4:Dy3+材料发射光谱强度的演化趋势相同,即Ca2SiO4:Dy3+材料发射峰强度先增大后减小,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,对应Li+,Na+和K+时,浓度分别为4mol%,4mol%和3mol%.
关键词:
白光LED
2SiO4:Dy3+')" href="#">Ca2SiO4:Dy3+
发光特性
电荷补偿 相似文献
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采用高温固相法合成了Sr2ZnMoO6:Sm3+新型红色荧光材料,并对其发光特性进行了研究。XRD测量结果表明所制备样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。样品的发射光谱由一系列锐谱组成,分别位于563 nm(4G5/2→6H5/2)、598 nm(4G5/2→6H7/2)、607 nm(4G5/2→6H7/2)和645 nm(4G5/2→6H9/2),最强发射为645 nm。样品激发光谱由电荷迁移带CT和Sm3+离子的特征激发峰组成,主激发峰位于284 nm(CT)和403 nm(6H5/2-4L13/2)。 随着Sm3+浓度的增大, Sr2-xZnMoO6:xSm3+材料的发光强度先增大后减小, 在x≥2%时,发生浓度猝灭现象。根据Dexter理论分析其猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。比较了Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂的作用,发现均使Sr2ZnMoO6:Sm3+材料的发射强度得到增强,但以Li+补偿效果最为显著。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法合成了Tb3+掺杂的LiAl5O8荧光粉并对其发光性能进行了研究。XRD分析表明,前驱物在750 ℃下灼烧2 h得到的样品为纯相的LiAl5O8。样品的激发谱为一宽带,其最强的峰位于231 nm。发射谱由4组窄带组成,其中最强峰位于542 nm,对应于Tb3+离子的5D4→7F5跃迁。最佳的Tb3+掺杂摩尔分数为0.01。探讨了Tb3+掺杂浓度、电荷补偿剂(Li+)和助熔剂(H3BO3)对样品发光性能的影响,结果表明,调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂和助熔剂均可以在很大程度上提高材料的发射强度。 相似文献
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在锂二次电池中, 硅酸锰锂作为正极材料得到广泛研究, 但其固有的电子和离子电导率较低, 直接影响着电池的功率密度和充放电速率. 本文建立了不同浓度的Na+离子替位掺杂Li+离子形成的Li1-xNaxMnSiO4(x=0, 0.125, 0.25, 0.5)结构, 采用第一性原理的方法, 研究了掺杂前后硅酸锰锂的电子结构以及Li+离子的跃迁势垒. 发现在Li+位替代掺杂Na+, 导带底的能级向低能方向发生移动, 降低了Li2MnSiO4 材料的禁带宽度, 有利于提升材料的电子导电性能. 随着掺杂浓度的升高, 禁带宽度逐渐变窄. CI-NEB结果表明, 在Li2MnSiO4体系中具有两条有效的Li+离子迁移通道, 掺杂Na+以后扩大了Li+ 离子在[100]晶向上的迁移通道, Li+离子的跃迁势垒由0.64 eV降低为0.48, 0.52和0.55 eV. 掺杂浓度为 x=0.125时, 离子迁移效果最佳. 研究表明Na+掺杂有利于提高Li2MnSiO4材料的离子和电子电导率. 相似文献
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本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。
关键词: 相似文献
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采用高温固相法成功制备出荧光粉Ca4LaNbMo4O20:Pr3+,通过X射线衍射分析了样品的结构,其结构与CaMoO4结构相似。在Ca4LaNbMo4O20:Pr3+的激发光谱中出现了NbO43-和MoO42-的电荷迁移(CTS)吸收和Pr3+离子的4f→4f5d激发跃迁,以及Pr3+-金属离子的价间电荷迁移(IVCT)吸收;另外在420~520 nm处,还观测到属于Pr3+离子的典型f-f激发跃迁。发射光谱中,在452 nm激发下,主要出现绿光和红光两种发射,其峰值位于490 nm和607 nm处,分别是Pr3+的3P0→3H4和1D2→3H4的跃迁作用;在紫外287 nm激发下出现NbO43-和MoO42-发射和Pr3+离子的4f5d→4f跃迁宽带,以及Pr3+离子的4f→4f发射峰。 相似文献