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基于k·p微扰理论, 通过引入应变哈密顿量作为微扰, 建立了双轴应变Ge/Si1-xGex价带色散关系模型. 模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge价带结构, 通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量. 模型的Matlab模拟结果显示, 应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小, 其各向异性比弛豫Ge更加显著. 本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值. 相似文献
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本文制备了一种基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器,该探测器是通过将多层PdSe2薄膜转移到平面GaAs上制成的. 所制备的PdSe2/GaAs异质结器件在808 nm光照下表现出明显的光伏特性,这表明近红外光电探测器可以用作自驱动器件. 进一步的器件分析表明,这种杂化异质结在零偏电压和808 nm光照下具有1.16×105的高开关比. 光电探测器的响应度和比探测度分别约为171.34 mA/W和2.36×1011 Jones. 而且,该器件显示出优异的稳定性和可靠的重复性. 在空气中2个月后,近红外光电探测器的光电特性几乎没有下降,这归因于PdSe2的良好稳定性. 最后,基于PdSe2/GaAs的异质结器件还可以用作近红外光传感器. 相似文献
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本文在室温下测量了Cu2O和Ge的基本反射光谱(0.22—1.00μ);研究了区分激子反射带结构和带际跃迁反射带结构的实验方法。光学抛光处理晶体表面对反射光谱中激子结构的影响极大,但对带际跃迁结构的影响不大。确定了Cu2O紫外反射带的带际跃迁性质。讨论了Cu2O和Ge的基本反射光谱和能带结构的联系。特别注意了Ge的反射光谱中的一些弱结构和能带结构的联系。工作中也涉及了晶格的有序度和能带结构的联系和吸收气氛影响短波反射带“下塌”的现象。 相似文献
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GaAs/Ge的MOCVD生长研究 总被引:3,自引:3,他引:0
用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒.10K下PL谱半峰宽为7meV.讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和GaAs-Ge界面的Ga、Ge原子互扩散问题. 相似文献
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采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了ZnO/GaN核壳异质结的电子结构和光学特性.计算结果表明:[10 10]和[11 20]晶面的异质结在带隙边缘价带顶和导带底的电子态密度各自主要由氮原子和锌原子贡献.以[10 10]晶面为侧面的异质结结构的介电函数虚部(ε2)的曲线具有相似的特征,都是价带的氮原子到导带锌原子的跃迁,但峰位依赖于核层数和壳层数的不同而有所偏移.相对地,以[11 20]晶面为侧面的结构,其ε2的曲线与[10 10]晶面的情况有着很大的差别,其出现了一个由镓原子与氮原子之间的跃迁形成的峰.因此,可以通过控制异质结的晶面来实现对其光学特性的调控.这种新型异质结将在发光器件、光电太阳能电池、生物探测等方面具有一定的应用价值. 相似文献
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用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数. 相似文献
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FIRST-PRINCIPLE SELF-CONSISTENT PSEUDOPOTENTIAL CALCULATION OF THE ELECTRONIC STRUCTURES OF SHORT-PERIOD (GaAs)m(AlAs)n SUPERLATT1CES 下载免费PDF全文
With the local density approximation, the band structares of the short-period (GaAs)1(AlAs)1 and (GaAs)2(AlAs)1 superlattices are calculated by using the first-principle self-consistent pseudopotential method. The results show that the (GaAs)1(AlAs)1 superlattice is an indirect semiconductor, and the lowest conduction band state is at point R in the Brillouin zone; the (GaAs)2(AlAs)1 superlattice is a direct semiconductor and the lowest conduction band state is at point Γ. The squared matrix elements of transition are calculated. The pressure coefficients of energy gaps of the (GaAs)1(AlAs)1 and (GaAs)2(AlAs)1 superlattices are calculated and compared with those obtained by hydrostatic pressure experiments. 相似文献
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Matlab在PN结特性研究实验数据处理中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在pn结物理特性研究实验中,为了验证流过pn结的正向电流和加在pn结两端的正向电压满足指数关系,通常的做法是通过测量数据,选择几种函数关系,把数据代入分别验证。本文主要介绍利用matlab工具箱来处理该实验中的数据,比通常的做法简单方便且更直观,能够让实验者对该实验有深一步的认识。 相似文献
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铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ2, γ′, δ, ζ1, ζ2, η2, θ, θ′,α铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ1, α+ γ2, α + γ′, γ2 + γ′, γ′+ ζ1, γ2+δ, γ′+δ,δ +ζ2, ζ2+η2, η2+θ,η2+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ1, α+ γ2+ γ′, γ2+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ2+θ′, ζ2 + η2 + θ′, η2+ θ′ + 镓, η2 +θ + 镓和θ +镓+ α铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。
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建立飞行器的热走廊物理模型和求解方法对于设计飞行器防热结构、确定飞行轨道和优化气动外形等均有重要的工程应用价值,本文对X43高超声速飞行器的飞行热走廊的物理含义进行了分析,初步建立了飞行热走廊的物理模型,给出了该物理模型下飞行热走廊的控制方程和求解方法,通过对X43高超声速飞行器典型位置的飞行热走廊的计算,研究了高超声速飞行器的热走廊规律和特征,研究了防热材料的性能对飞行走廊的限制,明确了防热材料的关键防热参数,通过研究发现: (1)防热材料的发射系数越大,其对应的热走廊越宽阔,飞行轨道的选择余地也越大; (2)不同位置、不同流态对应的热走廊边界不同,推迟转捩发生可以增加热走廊区域,有利于防热. 相似文献
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