| 封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究 |
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| 引用本文： | 李琦,徐弘毅,金锐,谢刚,郭清,盛况.封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究[J].机电工程,2015,32(5). |
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| 作者姓名： | 李琦 徐弘毅 金锐 谢刚 郭清 盛况 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学电气工程学院,浙江杭州,310027
2. 国家电网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所,北京,102211 |
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| 基金项目： | 国家电网公司科技资助项目，浙江省教育厅科研资助项目，中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 UIS 失效分析 |
Influence of bonding location on IGBT's failure under UIS condition |
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| LI Qi,XV Hong-yi,JIN Rui,XIE Gang,GUO Qing,SHENG Kuang.Influence of bonding location on IGBT's failure under UIS condition[J].Mechanical & Electrical Engineering Magazine,2015,32(5). |
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| Authors: | LI Qi XV Hong-yi JIN Rui XIE Gang GUO Qing SHENG Kuang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate bipolar transistor (IGBT) unclamped inductive switching (UIS) failure analysis |
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