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高温半导体压力传感器技术
引用本文:韩小亮,朱作云,等.高温半导体压力传感器技术[J].西安电子科技大学学报,2001,28(1):120-125.
作者姓名:韩小亮  朱作云
作者单位:韩小亮(西安电子科技大学 微电子研究所,陕西 西安 710071)       朱作云(西安电子科技大学 微电子研究所,陕西 西安 710071)       李跃进(西安电子科技大学 微电子研究所,陕西 西安 710071)
基金项目:国家自然科学基金资助项目(69772023)
摘    要:介绍了高温半导体压力传感器的应用和国内外研究发展现状,论述了几种主要的高温半导体压力传器的工作原理和关键技术,比较了不同的传感器结构和制作工艺之间的优缺点,重点介绍了新型SiC高温压力传感器。

关 键 词:压力传感器  碳化硅  半导体
文章编号:1001-2400(2001)01-0120-05
修稿时间:2000年9月4日

Study of the high temperature semiconductor pressure sensor
HAN Xiao liang,ZHU Zuo yun,LI Yue jin.Study of the high temperature semiconductor pressure sensor[J].Journal of Xidian University,2001,28(1):120-125.
Authors:HAN Xiao liang  ZHU Zuo yun  LI Yue jin
Abstract:The application and the development of high temperature semiconductor pressure sensor are overviewed. Its principle, key techniques, and the characteristics are compared and discussed, with emphasis on the introduction of some new types of SiC high temperature pressure sensor.
Keywords:high temperature  pressure sensor  SiC
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