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1.
《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研),日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度),突破了实用化所要求的标准 相似文献
2.
采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象. 相似文献
3.
SiC(w)/TZP+mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能 总被引:2,自引:1,他引:1
本文从理论上分析了SiC(w)TZP+mullite(p)复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在SiC(w)表面涂复Al2O3和在PZT中加入mullite(p)联合作用来降低晶须/基质界面残余热应力的界面设计方案,导出SiC(w)和mullite(p)协同补强PZT的匹配条件。制备了SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料并了SiC(w)表面涂层Al2O3厚度和SiC(w 相似文献
4.
5.
HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发.然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。 相似文献
6.
7.
8.
高压对SiCp/Al复合材料塑性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自已开发研制的高压拉伸实验设备,进行了SiCp/AlMMC在不同压力等级下的高压拉伸实验。研究了SiCp/AlMMC在高压下的塑性变化,借助扫描电镜对拉伸后的试样进行了宏观及微观断口分析。结果表明:SiCp/AlMMC在高静液压下塑性可得到很大改善,随压力提高、塑性指标在实验压力范围内呈规律性变化,其断裂方式也由宏观脆性正断逐步转化为韧性切断。 相似文献
9.
10.
太钢3号高炉1987年中修时在炉腰、炉身下部4层立冷板采用软水闭路循环冷却,并在软水冷却的5.8m高度范围内采用氮化硅结合的碳化硅砖和高铝砖两环交错砌筑,至1992年2月停炉大修,生产了4年零10个月,取得了一代中修炉龄延长、生产指标改善的效果。生铁产量增加43.1%,高炉利用系数提高0.096,单位炉容产铁量增加897t,炉龄延长454天。 相似文献