| 抗辐照标准单元库验证方法研究 |
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| 引用本文： | 徐大为,姚进,胡永强,刘永灿,周晓彬,陈菊.抗辐照标准单元库验证方法研究[J].电子与封装,2015(3):14-17. |
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| 作者姓名： | 徐大为 姚进 胡永强 刘永灿 周晓彬 陈菊 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。
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| 关 键 词： | 抗辐照标准单元 SOI 验证电路 |
The Test and Verify of Radiation-hard Standard Cell Library |
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| XU Dawei,YAO Jin,HU Yongqiang,LIU Yongcan,ZHOU Xiaobin,CHEN Ju.The Test and Verify of Radiation-hard Standard Cell Library[J].Electronics & Packaging,2015(3):14-17. |
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| Authors: | XU Dawei YAO Jin HU Yongqiang LIU Yongcan ZHOU Xiaobin CHEN Ju |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radiation-hard standard cell library silicon on insulator test circuit |
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