| 一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计 |
| |
| 引用本文： | 易峰,吴旭,张又丹,何颖.一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计[J].电子与封装,2011,11(5):28-30. |
| |
| 作者姓名： | 易峰 吴旭 张又丹 何颖 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技58研究所;湖南大学物理与微电子科学学院; |
| |
| 摘 要： | 模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...
|
| 关 键 词： | 基准电压 带隙基准 电源抑制比 双极工艺 |
Design of a High Performance Bipolar Bandgap Voltage Reference |
| |
| YI feng,WU Xu,ZHANG You-dan,HE Ying.Design of a High Performance Bipolar Bandgap Voltage Reference[J].Electronics & Packaging,2011,11(5):28-30. |
| |
| Authors: | YI feng WU Xu ZHANG You-dan HE Ying |
| |
| Affiliation: | YI feng1,WU Xu2,ZHANG You-dan1,HE Ying1(1.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China,2.Microelect ronics Center of Hunan University,Hunan 410012,China) |
| |
| Abstract: | A bandgap reference using 2μm bipolar process is described.It has a simple structureand high performance.Simuluation shows the average temperature coefficient is 30？0-6/℃,PSRR is-56dB at 27℃ and voltage level bias characteristic is 384？0-6/ V. |
| |
| Keywords: | voltage reference bandgap reference PSRR bipolar |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
