| ±1.5V 1.37×10~(-6)/℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计 |
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| 引用本文： | 王召,张志勇,赵武,程卫东.±1.5V 1.37×10~(-6)/℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计[J].微纳电子技术,2007,44(12):1087-1090. |
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| 作者姓名： | 王召 张志勇 赵武 程卫东 |
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| 作者单位： | 1. 西北大学,信息科学与技术学院,西安,710069
2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5 V的电源电压下,输出基准电压为-1.418 55 V,-55～125℃较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35 mV,有效温度系数达到1.37×10-6/℃。同时,带隙基准源具有较高的电源抑制比,在2 kHz下达到73 dB。
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| 关 键 词： | 曲率补偿 带隙基准源 温度系数 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1671-4776(2007)12-1087-04 |
| 修稿时间： | 2007年6月25日 |
Analysis and Design of a ±1.5 V 1.37×10-6/℃ Current-Mode CMOS Bandgap Reference |
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| Wang Zhao,Zhang Zhiyong,Zhao Wu,Cheng Weidong.Analysis and Design of a ±1.5 V 1.37×10-6/℃ Current-Mode CMOS Bandgap Reference[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(12):1087-1090. |
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| Authors: | Wang Zhao Zhang Zhiyong Zhao Wu Cheng Weidong |
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| Abstract: | A current-mode curvature-compensated CMOS bandgap reference was designed.The foundamental principle is to obtain nonlinear current with temperature and compensate the higher term of VEB with two BJT biased at different current characteristic.The bandgap reference was stimulated with BSIM3v3 models of a standard 0.6 μm CMOS.The results show that the output reference voltage is-1.418 55 V at supplied power of ±1.5 V,with peak-to-peak variation being of only 0.35 mV at-55～125 ℃,and effective temperature coefficient is 1.37×10-6/℃.The power supply rejection rate(PSRR) of the bandgap reference is 73 dB at 2 kHz. |
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| Keywords: | curvature-compensated bandgap reference temperature coefficient PSRR |
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