| 一种高精度的CMOS带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 黄晓敏,沈绪榜,邹雪城,蒋湘.一种高精度的CMOS带隙基准电压源[J].电子工程师,2004,30(3):13-15. |
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| 作者姓名： | 黄晓敏 沈绪榜 邹雪城 蒋湘 |
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| 作者单位： | 华中科技大学图像识别与人工智能研究所,湖北省武汉市,430074 |
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| 摘 要： | 设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.
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| 关 键 词： | 带隙 基准电压源 |
| 修稿时间： | 2003年8月11日 |
A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference |
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| Huang Xiaomin,Shen Xubang,Zhou Xuecheng,Jiang Xiang.A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference[J].Electronic Engineer,2004,30(3):13-15. |
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| Authors: | Huang Xiaomin Shen Xubang Zhou Xuecheng Jiang Xiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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