| 多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 张正旭,李少青,马卓,肖海鹏.多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源[J].微电子学,2009,39(4). |
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| 作者姓名： | 张正旭 李少青 马卓 肖海鹏 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,计算机学院,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在传统CMOS带隙基准源的基础上,采用温度补偿和差分负反馈的方法,提出了一种多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源结构.基于0.5 μm CMOS工艺,进行了设计实现.HSPICE仿真结果表明,该带隙基准源具有较低的温度系数(7.9×10-6/℃,0～100 ℃),电源电压从1.9 V变化到5.5 V,输出仅变化1.8 mV,基准源输出为1.233 V,分压电路产生多路输出,基准电流4 μA,温度系数均小于12×10-6 /℃(-25 ℃～125 ℃).
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| 关 键 词： | 带隙基准源 多路V/I输出 温度系数 电源抑制比 |
High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference Source with Multiple V/I Output |
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| ZHANG Zhengxu,LI Shaoqing,MA Zhuo,XIAO Haipeng.High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference Source with Multiple V/I Output[J].Microelectronics,2009,39(4). |
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| Authors: | ZHANG Zhengxu LI Shaoqing MA Zhuo XIAO Haipeng |
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| Affiliation: | School of Computer Science;National University of Defense Technology;Changsha;Hunan 410073;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bandgap reference source Multiple V/I output Temperature coefficient PSRR |
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