| 深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究 |
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| 引用本文： | 颜志英.深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究[J].微电子学,2003,33(2):90-93. |
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| 作者姓名： | 颜志英 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,信息工程学院,浙江,杭州,310032 |
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| 基金项目： | 浙江工业大学基金(X32010) |
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| 摘 要： | 当器件尺寸进入深亚微米后，SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视。通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系，分析了这两种器件的退化规律，对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释。并模拟了在最坏应力条件下，最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系，说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时，能使Gmmax的退化小于10％。
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| 关 键 词： | SOI MOSFET 热载流子效应 器件损伤 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)02-0090-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月30日 |
Hot-Carrier Effects in Deep Submicron N- and P-Channel SOI MOSFET's |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI MOSFET Hot-carrier effect Device degradation |
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