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一种多晶硅高温压力传感器
引用本文:张荣,曲宏伟.一种多晶硅高温压力传感器[J].微电子学,1998,28(6):437-439.
作者姓名:张荣  曲宏伟
作者单位:天津大学电子工程系
摘    要:制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。

关 键 词:传感器  压力传感器  多晶硅  介质隔离

A Poly Silicon High Temperature Pressure Sensor
ZHANG Rong,QU Hong Wei,WANG Yong Ping,YAN Fu Lan,CUI Jin Biao,TIAN Li Ping and ZHANG Wei Xin Dept.Electronics Engineering,Tianjin University,Tianjin.A Poly Silicon High Temperature Pressure Sensor[J].Microelectronics,1998,28(6):437-439.
Authors:ZHANG Rong  QU Hong Wei  WANG Yong Ping  YAN Fu Lan  CUI Jin Biao  TIAN Li Ping and ZHANG Wei Xin DeptElectronics Engineering  Tianjin University  Tianjin
Affiliation:ZHANG Rong,QU Hong Wei,WANG Yong Ping,YAN Fu Lan,CUI Jin Biao,TIAN Li Ping and ZHANG Wei Xin Dept.Electronics Engineering,Tianjin University,Tianjin,300072
Abstract:
Keywords:Sensor  Pressure  sensor  Polysilicon  Dielectric  isolation  EEACC  7230  
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