| 一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET |
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| 引用本文： | 冯金荣,冯全源,陈晓培.一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET[J].微电子学,2018,48(5):682-685. |
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| 作者姓名： | 冯金荣 冯全源 陈晓培 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756,西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756,西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61531016)；四川省科技支撑计划重点资助项目(2016GZ0059,2017GZ0110) |
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| 摘 要： | 基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104 V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。
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| 关 键 词： | N沟道结型场效应晶体管 降低表面电场 击穿电压 BiCMOS |
| 收稿时间： | 2017/12/13 0:00:00 |
A BiCMOS NJFET with Assisted-Depletion Effect |
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| FENG Jinrong,FENG Quanyuan and CHEN Xiaopei.A BiCMOS NJFET with Assisted-Depletion Effect[J].Microelectronics,2018,48(5):682-685. |
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| Authors: | FENG Jinrong FENG Quanyuan and CHEN Xiaopei |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China,Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China and Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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