| 一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计 |
| |
| 引用本文： | 朱樟明,杨银堂.一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计[J].电路与系统学报,2004,9(4):118-120,128. |
| |
| 作者姓名： | 朱樟明 杨银堂 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学 微电子研究所,陕西,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，2002AA1Z1210， |
| |
| 摘 要： | 在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上，综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术，提出了一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放，简化了电路的设计，放大器的输出用于产生自身的电流源偏置，提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现，采用Hspice进行仿真，仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。
|
| 关 键 词： | CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1007-0249(2004)04-0118-04 |
A 10-ppm/℃ Low Voltage CMOS Band-gap Voltage Reference |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CMOS |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
