| 热退火对GaN阴极光电发射性能的影响 |
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| 引用本文： | 李飙,任艺,常本康.热退火对GaN阴极光电发射性能的影响[J].电子器件,2019,42(1):19-22. |
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| 作者姓名： | 李飙 任艺 常本康 |
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| 作者单位： | 商丘师范学院电子电气工程学院,河南 商丘,476000;商丘职业技术学院机电系,河南 商丘,476000;南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(91433108) |
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| 摘 要： | 热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容,改善材料的结晶属性,而且可以改善样品的表面质量,对提高样品的光谱响应是一种有力的手段。对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理,使样品的性能得到了改善,最优条件下样品的暗电流为200 pA,电阻率为1.6Ω·cm,最大光谱响应为0.19 A/W。依据光谱响应作为评估标准,可以得出,采用700℃热退火10 min制备出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。
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| 关 键 词： | 光电子学 光电子器件 光谱响应 光电发射 光电阴极 氮化镓 退火 |
Effects of Thermal Annealing on the Photoemission Performance of GaN Photocathode |
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| LI Biao,REN Yi,CHANG Benkang.Effects of Thermal Annealing on the Photoemission Performance of GaN Photocathode[J].Journal of Electron Devices,2019,42(1):19-22. |
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| Authors: | LI Biao REN Yi CHANG Benkang |
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| Affiliation: | (School of Electronic and Electrical Engineering,Shangqiu Normal University,Shangqiu He ’ nan 476000,China;Department of Electrical and Mechanical Engineering,Shangqiu Polytechnic,Shangqiu He ’ nan 476000,China;Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology,Nanjing University of Science and Technology,Nanjing 210094,China) |
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| Abstract: | LI Biao;REN Yi;CHANG Benkang(School of Electronic and Electrical Engineering,Shangqiu Normal University,Shangqiu He ’ nan 476000,China;Department of Electrical and Mechanical Engineering,Shangqiu Polytechnic,Shangqiu He ’ nan 476000,China;Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology,Nanjing University of Science and Technology,Nanjing 210094,China) |
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| Keywords: | optoelectronics optoelectronic devices spectral response photoemission photocathode GaN thermal annealing |
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