摘要: |
热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容,改善材料的结晶属性,而且可以改善样品的表面质 量,对提高样品的光谱响应是一种有力的手段,对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理,使样品的性能得到了改善,最优条件下样品的暗电流为200pA,电阻率为1.6Ω·cm,最大光谱响应为0.19A/W,依据光谱响应作为评估标准,可以得出,采用700℃热退火10min制备出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。 |
关键词: 光电子学、光电子器件、光谱响应、光电发射、光电阴极、氮化镓、退火 |
DOI: |
|
基金项目:国家自然科学基金项目(91433108) |
|
|
|
() |
Abstract: |
|
Key words: |