| MOSFET基分布式放大器的研究进展 |
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| 引用本文： | 李雪, 赵萌, 韩波, 高建军.MOSFET基分布式放大器的研究进展[J].电子器件,2009,32(3):574-578. |
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| 作者姓名： | 李雪 赵萌 韩波 高建军 |
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| 作者单位： | 华东师范大学信息科学技术学院,上海,200241 |
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| 摘 要： | 对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述.从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFET基分布式放大器的研究进展并展望了MOS-FET基分布式放大器的发展趋势.
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| 关 键 词： | 分布式放大器 金属氧化物场效应晶体管 互补金属氧化物场效应晶体管 砷化镓金属半导体场效应晶 |
Progress on Research of the MOSFET-Based Distributed Amplifier |
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| LI Xue,ZHAO Meng,HAN Bo,GAO Jianjun.Progress on Research of the MOSFET-Based Distributed Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2009,32(3):574-578. |
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| Authors: | LI Xue ZHAO Meng HAN Bo GAO Jianjun |
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| Affiliation: | School of Information Science and Technology;East China Normal University;Shanghai 200241;China |
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| Abstract: | A design of the MOSFET-based distributed amplifiers has been specifically presented. The design of gain cells, the improvement of matching network and low-noise characteristics are studied, on the basic of which the research of the MOSFET-based distributed amplifiers and the prospect of the trend in the near future are introduced. |
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| Keywords: | Distributed Amplifier MOSFET CMOS GaAs FET |
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