| 应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响 |
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| 引用本文： | 王琦,王荣华,夏冬梅,郑有炓,韩平,俞慧强,梅琴,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣.应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1):130-132. |
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| 作者姓名： | 王琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 俞慧强 梅琴 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 |
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| 作者单位： | 王琦（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;王荣华（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;夏冬梅（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;郑有炓（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;韩平（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;俞慧强（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;梅琴（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;谢自力（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;修向前（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;朱顺明（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;顾书林（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;施毅（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;张荣（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目 |
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| 摘 要： | 用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.
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| 关 键 词： | 应变Si SiC 化学气相沉积 霍尔迁移率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0130-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月28 |
Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility |
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