| 用于WCDMA的高线性，高增益精度的直接变频发射机 |
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| 引用本文： | 李歆,付健,黄煜梅,洪志良.用于WCDMA的高线性，高增益精度的直接变频发射机[J].半导体学报,2011,32(8):085010-6. |
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| 作者姓名： | 李歆 付健 黄煜梅 洪志良 |
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| 作者单位： | 复旦大学集成电路设计国家重点实验室,复旦大学集成电路设计国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 本文描述了一个高线性，高输出功率的直接变频发射机。该发射机针对宽频码分多工存取标准设计，在0.13微米CMOS工艺下实现。本系统最大输出功率为6.8dBm，消耗的电流为38mA。在最大输出功率下，邻道功率泄漏（ACLR）和载波泄漏分别为-44dBc@5MHz和-37dBc，相应的误差矢量振幅（EVM）为3.6%。整个系统可以以6dB为步长实现66dB的增益控制范围，通过电阻阵列的微调功能，增益控制精度可以达到0.1dB以内。系统的镜像抑制比可以在整个输出范围内保持在-47dBc以下。
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| 关 键 词： | WCDMA 高线性度 CMOS 增益 直接转换 发射器 高输出功率 精度 |
| 修稿时间： | 2/28/2011 1:12:10 PM |
CMOS highly linear direct-conversion transmitter for WCDMA with fine gain accuracy |
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| Li Xin,Fu Jian,Huang Yumei and Hong Zhiliang.CMOS highly linear direct-conversion transmitter for WCDMA with fine gain accuracy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(8):085010-6. |
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| Authors: | Li Xin Fu Jian Huang Yumei and Hong Zhiliang |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of ASIC and System, Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System, Fudan University |
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| Abstract: | A highly linear, high output power, 0.13-m CMOS direct conversion transmitter for wideband code division multiple access (WCDMA) is described. The transmitter delivers 6.8dBm output power with 38mA current consumption. With careful design on the resistor bank in the IQ-Modulator, the gain step accuracy is within 0.1dB hence the image rejection ratio can be kept below -47dBc for the entire output range. The adjacent channel leakage ratio and the LO leakage at 6.8dBm output power are -44dBc@5MHz and -37dBc, respectively, and the corresponding EVM is 3.6%. The overall gain can be programmed in 6dB steps in a 66-dB range. |
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| Keywords: | WCDMA UMTS Transmitter Direct conversion CMOS |
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