| Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长 |
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| 引用本文： | 王荣华,韩平,夏冬梅,李志兵,韩甜甜,刘成祥,符凯,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣,郑有炓.Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 王荣华 韩平 夏冬梅 李志兵 韩甜甜 刘成祥 符凯 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，优秀创新研究群体科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜 |
Chemical Vapor Deposition of Ge Films on Si1-xGex: C Buffers |
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| Wang Ronghua,Han Ping,Xia Dongmei,Li Zhibing,Han Tiantian,Liu Chengxiang,Fu Kai,Xie Zili,Xiu Xiangqian,Zhu Shunming,Gu Shulin,Shi Yi,Zhang Rong,Zheng Youdou.Chemical Vapor Deposition of Ge Films on Si1-xGex: C Buffers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Wang Ronghua Han Ping Xia Dongmei Li Zhibing Han Tiantian Liu Chengxiang Fu Kai Xie Zili Xiu Xiangqian Zhu Shunming Gu Shulin Shi Yi Zhang Rong Zheng Youdou |
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