| 不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化 |
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| 引用本文： | 赵要,胡靖,许铭真,谭长华.不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化[J].半导体学报,2004,25(9):1097-1103. |
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| 作者姓名： | 赵要 胡靖 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学系 北京100871
(赵要，胡靖，许铭真)，北京大学微电子学系 北京100871(谭长华) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了热载流子应力下栅厚为2 .1nm ,栅长为0 .135μm的p MOSFET中HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HAL O掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HAL O掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.
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| 关 键 词： | 热载流子 pMOS器件 HALO结构 退化 |
Degradation of pMOSFETs with Ultrathin Oxide and Different HALO Dose |
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| Zhao Yao,Hu Jing,Xu Mingzhen,Tan Changhua.Degradation of pMOSFETs with Ultrathin Oxide and Different HALO Dose[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(9):1097-1103. |
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| Authors: | Zhao Yao Hu Jing Xu Mingzhen Tan Changhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hot carrier pMOSFET HALO degradation |
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