| Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性 |
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| 引用本文： | 于军,王华,董晓敏,周文利,王耘波,郑远开,赵建洪.Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性[J].半导体学报,2001,22(2):203-207. |
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| 作者姓名： | 于军 王华 董晓敏 周文利 王耘波 郑远开 赵建洪 |
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| 作者单位： | [1]华中理工大学电子科学与技术系，武汉430074 [2]桂林电子工业学院电子信息分院，桂林541004 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目（98J036）． |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积方法 (PL D)制备了 Au/ PZT/ BIT/ p- Si多层结构铁电存储二极管 .对铁电存储二极管的P- E电滞回线、I- V特性曲线分别进行了测试与分析 ,并对其导电行为及基于 I- V特性回滞现象的存储机理进行了讨论 .实验表明 ,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化 (2 7μC/ cm2 )和较低的矫顽场 (4 8k V/ cm ) ,BIT铁电层有助于缓解 PZT与 Si衬底之间的界面反应和互扩散 ,减少界面态 ,与 Au/ PZT/ p- Si结构相比 ,漏电流密度降低近两个数量级 ,I- V特性曲线回滞窗口明显增大
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| 关 键 词： | 二极管 I-V特性 PLD |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)02-0203-05 |
| 修稿时间： | 1999年9月26日 |
I-V Characteristics of Ferroelectric Memory Diode with Structure of Au/PZT/BIT/p-Si |
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| YU Jun.I-V Characteristics of Ferroelectric Memory Diode with Structure of Au/PZT/BIT/p-Si[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):203-207. |
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| Authors: | YU Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diode I V characteristics PLD |
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