SrTiO3(111)衬底上KTa0.65Nb0.35O3薄膜的取向生长研究

以乙酸钾、乙醇钽、乙醇铌为前驱体，在SrTiO_3（111）衬底上取向生长了KTa_（0.65）Nb_（0.35）O_3薄膜.通过DTA-TG分析，确定了预烧工艺，发现钙钛矿结构KTN在高温（＞950℃）下可分解，产生缺钾中间相K_2Ta_4O_11．单层凝胶膜预热处理（＞450℃），多层覆盖，慢速升降温（1～2℃／min），750℃保温2h，可得到晶粒大小分布均匀，平均直径约0．2μm、致密的薄膜．升高温度、延长时间，晶粒长大，甚至团聚，产生气孔、裂纹，烧结温度应控制在950℃以下．     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜,采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺, 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见, 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 特性提出了合理设想     

高压泵盖螺栓安装孔加工夹具设计及应用

针对高压螺栓安装孔(面)加工要求,结合零件结构特征,分析了定位装置、夹具体及夹紧装置结构,设计并制造一套螺栓安装孔(面)加工专用的气动夹具。使用结果表明:该夹具定位精度稳定可靠,操作方便快捷,极大地低了工人劳动强度,加工效率及产品质量显著提高,实际应用效果良好。     

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电 存储二极管I-V 特性

采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析,并对其导电行为及基于I-V特性回滞现象的存储机理进行了讨论.实验表明,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化（27μC/cm2）和较低的矫顽场（48kV/cm）,BIT铁电层有助于缓解PZT与Si衬底之间的界面反应和互扩散,减少界面态,与Au/PZT/p-Si结构相比,漏电流密度降低近两个数量级,I-V特性曲线回滞窗口明显增大.     

电喷汽油机可变进气和配气系统的设计

换气过程进行的好坏，直接影响着汽油机的动力性、经济性和排放性能。进气和配气系统对汽油机充气效率有着决定性的影响，是汽油机换气过程的主要影响因素之一。本文以某一电喷汽油发动机为研究对象，利用现代先进技术——可变进气歧管长度、可变气门升程和可变气门定时，提出优化方案，对其进行结构设计，利用BOOST模拟计算软件，建立可变的进气和配气系统模型，分析影响进气充量的各种因素，并通过实验进行验证。     

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性

采用脉冲激光沉积方法 (PL D)制备了 Au/ PZT/ BIT/ p- Si多层结构铁电存储二极管 .对铁电存储二极管的P- E电滞回线、I- V特性曲线分别进行了测试与分析 ,并对其导电行为及基于 I- V特性回滞现象的存储机理进行了讨论 .实验表明 ,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化 (2 7μC/ cm2 )和较低的矫顽场 (4 8k V/ cm ) ,BIT铁电层有助于缓解 PZT与 Si衬底之间的界面反应和互扩散 ,减少界面态 ,与 Au/ PZT/ p- Si结构相比 ,漏电流密度降低近两个数量级 ,I- V特性曲线回滞窗口明显增大     

电喷汽油机可变进气和配气系统的设计

换气过程进行的好坏,直接影响着汽油机的动力性、经济性和排放性能。进气和配气系统对汽油机充气效率有着决定性的影响,是汽油机换气过程的主要影响因素之一。本文以某一电喷汽油发动机为研究对象,利用现代先进技术———可变进气歧管长度、可变气门升程和可变气门定时,提出优化方案,对其进行结构设计,利用BOOST模拟计算软件,建立可变的进气和配气系统模型,分析影响进气充量的各种因素,并通过实验进行验证。     

KTN凝胶热处理过程中的反应机理研究

本文研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＫＴａ０．６５Ｎｂ０．３５Ｏ３（ＫＴＮ）凝胶在热处理过程中的反应机理，发现钙钛矿结构的ＫＴＮ由四步反应生成：５４２℃生成Ｋ３Ｔａ５Ｏ１４．５Ｈ２Ｏ，５９３℃生成Ｋ５Ｎｂ２Ｏ６（Ｏ，ＯＨ）．ｎＨ２Ｏ（α０＝１０．５８Ａ），此两相为立方烧绿石结构，６２０℃未经中间相直接生成ＫＴＮ，６８０℃两种烧绿石结构反应生成ＫＴＮ。     

MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜,采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺, 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见, 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 特性提出了合理设想.