MISiC高温氢气传感器研究 |
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引用本文: | 陈卫兵,宋跃.MISiC高温氢气传感器研究[J].微电子学,2003,33(5):380-382. |
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作者姓名: | 陈卫兵 宋跃 |
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作者单位: | 1. 华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;湖南科技大学信息与电气工程学院,湖南,湘潭,411201 2. 湖南科技大学信息与电气工程学院,湖南,湘潭,411201 |
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摘 要: | 文章报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作绝缘层,制备高灵敏度MISiC肖特基二极管式高温气体传感器的技术。采用NO直接氧化法,改善了器件的界面特性.实验结果显示,采用该方法制作的传感器具有高响应灵敏度和良好的响应重复性。
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关 键 词: | 碳化硅 氢气传感器 肖特基二极管 高温传感器 氮化氧化物 NO直接氧化法 一氧化氮 |
文章编号: | 1004-3365(2003)05-0380-03 |
修稿时间: | 2002年9月29日 |
An MISiC High Temperature Hydrogen Sensor |
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Abstract: | |
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Keywords: | Silicon carbide Schottky diode Hydrogen sensor High temperature sensor Oxynitride |
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