一种宽带宽波束双圆极化天线设计

针对卫星移动通信系统,文中设计了一种新型圆极化微带天线。通过使用四臂“L”形探针、寄生层叠结构和带状线馈电网络实现了宽带、宽波束和双圆极化工作。对原理样机进行测试,结果表明,天线在20%的工作带宽内电压驻波比＜2.0∶[KG-2mm]1,轴比＜3.2 dB,3 dB波束宽度＞120°。     

碎屑流冲击刚性挡墙的力学模型研究

山体滑坡或山体崩塌所产生的碎屑流常对拦挡结构造成严重的危害,通过室内模型试验研究刚性挡墙抗碎屑流冲击的力学模型。根据64组试验的碎屑流冲击过程,建立冲击力力学模型,计算出法向冲击力、切向冲击力及冲击力的作用高度。并将试验结果中的最大冲击力及残余力,与Ashwood模型、Adel模型及所提模型进行比较。结果表明,所提模型计算出的冲击力与试验结果更加吻合,Ashwood模型计算出的冲击力相比试验结果偏小,Adel模型的结果相比试验结果也较接近。在假设基底反作用力的位置为堆积区长度的2/3的条件下,冲击力作用高度与试验结果最接近。最大的法向力与切向力都随着基底摩擦角的增大而不同程度的增大,挡墙摩擦角只对切向力有明显影响。研究结果可为滑坡或崩塌碎屑流的防灾减灾设计提供参考依据。     

微型化太赫兹集成器件的前沿技术进展

针对国际上太赫兹器件技术进展予以概括和分析,提炼出共振隧穿二极管、单向载流子传输光电二极管2种可行的小型化器件方案。在材料生长和器件结构方面分析了太赫兹波的产生原理和难点,在系统应用方面解释了短距离高速通信的实用案例。目前,采用共振隧穿二极管已实现2.5 Gbps速率的300 GHz无线通信演示实验,采用单向载流子传输光电二极管在该频点下实现了12.5 Gbps的无线通信实验。     

一种新型超宽带渐变槽线天线设计

设计并制作了一种新型微带馈电的渐变槽线天线.采用改进的微带一槽线过渡,更好地解决了超宽带天线的阻抗匹配问题.提出一种新型渐变辐射曲线,有效地改善了低频段的匹配特性.实物样机的测试结果表明,在0.92～14.25 GHz频带内该天线的电压驻波比小于2.0 : 1,带宽比达到15.4 :1,而且其带内辐射方向图的前后比大于15dB,交叉极化低于-18dB.     

集成电路成型与分离系统

设计了一种集成电路成型与分离系统,分析了系统设计的各个关键环节,该系统基于FPGA、ARM及计算机多核控制,重点介绍了工作台运动轨迹控制模型的设计、基于ARM的LED显示屏设计、语音模块设计、伺服电机的控制以及利用以太网通信等等。实验结果表明系统有噪声小、速度高、精度高、可靠性高等优点,具有较高的应用与推广价值。     

DDS单音调频波产生分析及FPGA实现

依据DDS基本原理,为实现单音调频波的DDS,提出了通过调整频率控制字来查表得到所需信号数字序列的思想,并进行了理论分析和研究,得到了计算方法,其结论用MATLAB 6,5进行了仿真,同时通过QuartusⅡ3．0应用到FPGA设计上,实践表明该方法是行之有效的。叙述了信号序列产生设计方法,重点介绍频率控制字分析和研究过程、FPGA实现方案及其仿真实验结果。     

存储示波表中常用电气参数测量设计

在基于ARM&MCU的存储示波表设计中,为满足高精度多元电气参数测量,选用了ADS1211 24位的AD转换芯片实现了5位半的万用表测量,运用等精度和闸门计数技术在FPGA中实现通用计数器参数测量,实验表明该设计是行之有效的.本文讨论了系统设计方案,重点给出了ADS1211应用、FPGA的设计思想和实现方法.     

基于FLEX10K的虚拟高智能测频计数与计时仪集成

本文介绍以FLEX10K器件为虚拟集成仪器核，辅之以模拟输入电路，借助Delphi 5.0实现操作界面和软件设计，由PC机完成对幅度为50mV－10V、频率为1Hz－10MHz的正弦波、方波、三角波等周期信号，完成10^-5以上精度的全自动化测频、计数和单一脉冲计时测量的设计与实现。     

a-Si∶HTFT的寄生效应

a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

a-Si TFT有源矩阵的单故障交流导纳分析

为检测 a- Si TFT有源矩阵板缺陷 ,提出了 TFT阵列测试电流环路模式和交流导纳单故障模型 ,研究了 TFT像素单元交流导纳特性和缺陷效应 ,研究发现 TFT单元在无缺陷时 ,它的等效电导、电容是测试信号频率和 TFT沟道电阻的函数 ,在出现任一单缺陷时 ,其等效电导或电容则为常数 ,同时发现在一定频率的测试信号作用下 ,无缺陷时 TFT通断态的等效电导、电容之差为非零常数 ,而在任一单缺陷时它们则依据缺陷类型可能出现 0或极大。本研究与实验取得了良好的吻合 ,从而为 a- Si TFT有源矩阵的故障检测提供了一种较完美的理论模型和实用的分析方法。