| TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型 |
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| 引用本文： | 张海鹏,魏同立,宋安飞.TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):18-22. |
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| 作者姓名： | 张海鹏 魏同立 宋安飞 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子工业学院
2. 东南大学微电子中心,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 )，模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4) |
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| 摘 要： | 从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。
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| 关 键 词： | 绝缘层上硅 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管 导电机理 漏电流 二维解析模型 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)01-018-05 |
| 修稿时间： | 2001年3月19日 |
Current Conducting Mechanism and 2-D Analytical Drain Current Model for TF SOI PMOSFET |
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| ZHANG Haipeng,WEI Tongli,SONG Anfei.Current Conducting Mechanism and 2-D Analytical Drain Current Model for TF SOI PMOSFET[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(1):18-22. |
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| Authors: | ZHANG Haipeng WEI Tongli SONG Anfei |
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| Abstract: | Proceeding from the physical state variations of the silicon film under the forward gate of TF AM SOI PMOSFET versus forward gate and drain biases, its current-conducting mechanisms are analyzed theoretically and deeply by biasing its back-gate at -5.0V . Then the 2-D analytical model of drain current at all kinds of forward-gate and drain biases is also derived. Therefore, a theoretic fundament is founded for the experiment researches of high temperature TF AM SOI PMOSFET and CMOS digital circuits, and some theoretic bases are obtained for design of them. |
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| Keywords: | SOI PMOSFET current-conducting mechanism drain current 2-D analytical model |
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