| Si1-xGex∶C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长 |
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| 引用本文： | 王荣华,韩平,夏冬梅,李志兵,韩甜甜,刘成祥,符凯,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣,郑有炓.Si1-xGex∶C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长[J].半导体学报,2006,27(13):151-154. |
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| 作者姓名： | 王荣华 韩平 夏冬梅 李志兵 韩甜甜 刘成祥 符凯 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093 |
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| 摘 要： | 用化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层，继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为，缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一，其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度，且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 Si1-xGex∶C缓冲层 Ge薄膜 |
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