| 0.35 μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究 |
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| 引用本文： | 徐婉静,朱坤峰,杨永晖,任芳,黄东,梁柳红,张霞,汪璐,崔伟,谭开洲,钱呈.0.35 μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究[J].微电子学,2016,46(3):407-411. |
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| 作者姓名： | 徐婉静 朱坤峰 杨永晖 任芳 黄东 梁柳红 张霞 汪璐 崔伟 谭开洲 钱呈 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332,模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332 |
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| 摘 要： | 针对0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h2、深槽顶部开口宽度Wtp以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h3是影响深槽表面形貌的主要因素；当h2=220 nm,Wtp=0.7~0.9 μm,h3=150~200 nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05 nA/μm,可用于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺的隔离。
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| 关 键 词： | 深槽隔离 表面形貌 0.35μm SiGe BiCMOS SiGe HBT |
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