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| 高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究 | |
| 引用本文： | 黄宜平,李爱珍.高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究[J].半导体学报,1997,18(12):921-925. |
| 作者姓名： | 黄宜平 李爱珍 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系 |
| 摘 要： | 本研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从１００ｎｍ到数μｍ），且硅岛宽度可大于１００μｍ．ＸＴＥＭ结果显示顶层硅／氧 |
| 关 键 词： | SOI技术 多孔氧化硅 CMOS 自终止工艺 |
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