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| 源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟 | |
| 引用本文： | 赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟[J].半导体学报,2004,25(6). |
| 作者姓名： | 赵洪辰 海潮和 韩郑生 钱鹤 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
| 摘 要： | 研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关. |
| 关 键 词： | 源区浅结 不对称SOI MOSFET 辐照效应 |
Radiation of SOI MOSFET with Shallow Source |
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