| 高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化 |
| |
| 引用本文： | 许佳宜,石艳玲,任铮,胡少坚,万星拱,丁艳芳,赖宗声.高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化[J].半导体学报,2008,29(8). |
| |
| 作者姓名： | 许佳宜 石艳玲 任铮 胡少坚 万星拱 丁艳芳 赖宗声 |
| |
| 作者单位： | 1. 华东师范大学信息学院电子系,上海,200062
2. 上海集成电路研发中心,上海,201203 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科委资助项目，上海市应用材料研究与发展项目 |
| |
| 摘 要： | 分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.
|
| 关 键 词： | 高压双扩散漏MOS晶体管 MESFET 尺寸可缩放宏模型 SPICE模型 |
A Macromodel and Parameter Optimization for the I-V Characteristics of High-Voltage MOSFETs |
| |
| Xu Jiayi,Shi Yanling,Ren Zheng,Hu Shaojian,Wan Xinggong,Ding Yanfang,Lai Zongsheng.A Macromodel and Parameter Optimization for the I-V Characteristics of High-Voltage MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8). |
| |
| Authors: | Xu Jiayi Shi Yanling Ren Zheng Hu Shaojian Wan Xinggong Ding Yanfang Lai Zongsheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
