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| a-Si∶H TFT的寄生效应 | |
| 引用本文： | 宋跃,邹雪城.a-Si∶H TFT的寄生效应[J].半导体学报,2003,24(4). |
| 作者姓名： | 宋跃 邹雪城 |
| 作者单位： | 1. 湘潭师范学院物理与信息工程系,湘潭,411201;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
| 摘 要： | a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法. |
| 关 键 词： | 寄生效应 电力线 物理寄生电容 补偿电容 |
Parasitic Effect of a-Si∶H TFT |
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