| 氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化 |
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| 引用本文： | 杨建军,钟兴华,李俊峰,海潮和,韩郑生.氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化[J].微电子学与计算机,2005,22(8):1-4. |
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| 作者姓名： | 杨建军 钟兴华 李俊峰 海潮和 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 文章描述了氧等离子干法剥离光刻胶中MOS器件的性能退化问题,并且制备了不同天线比AR(Antenna Ratio),相同器件结构的NMOS器件来检测器件的退化.实验结果发现栅漏电流密度Jg和阈值电压Vt漂移会随着Al的天线面积的增加而非线性地增加,尤其表现在阈值电压漂移上.运用增加电流应力时间的测试来模拟器件在等离子反应腔中所受的实际应力,发现了与天线比增加时阈值电压变化趋势相同,表明在氧等离子气氛中器件受到了负电应力的影响.最后,基于此次实验的结果,在器件的设计,工艺参数的制定方面提出了一些减小干法剥离光刻胶工艺带来器件性能退化的建议.
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| 关 键 词： | 等离子剥离(干法去胶) 天线比(AR) 栅漏电流密度 阈值漂移 电流应力 时间测试 |
| 文章编号： | 1000-7180（2005）08-001-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-30 |
| 修稿时间： | 2005年4月30日 |
Performance Degradation of NMOS Device in Oxide Plasma Ambience |
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| YANG Jian-jun,ZHONG Xing-hua,LI Jun-feng,HAI Chao-he,HAN Zheng-sheng.Performance Degradation of NMOS Device in Oxide Plasma Ambience[J].Microelectronics & Computer,2005,22(8):1-4. |
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| Authors: | YANG Jian-jun ZHONG Xing-hua LI Jun-feng HAI Chao-he HAN Zheng-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Plasma stripping Antenna ratio(AR) Gate leakage current density J_g V_t shift Current stress time test |
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