|
|||||
|
|
| 低温小注入双极晶体管基区杂质电离浓度的计算 | |
| 引用本文： | 张住兵,吴金.低温小注入双极晶体管基区杂质电离浓度的计算[J].微电子学,1996,26(5):309-312. |
| 作者姓名： | 张住兵 吴金 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 基金项目： | 国家自然基金,博士点资助项目 |
| 摘 要： | 建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。 |
| 关 键 词： | 物理模型 数值模型 杂质电离 双极晶体管 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号-23 |
