NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。     

爆管锚杆安装时,合理装药量的确定

爆管锚杆之所以能沿炮孔全长锚固,是山于管段中炸药爆破能使管段扩展造成的.爆管锚杆的安装方式如下:在管段中放入带有电雷管的炸药线(一根或几根导爆线),管缝隙填充砂、水类惰性料.管口用木楔封闭,防止填充料流失,同时也将导爆索固定在管段的中心线位置.然后将制备好的爆管中描杆放入炮孔中,连接电力爆破回路,并对需要数目的锚杆进行一次引火起爆.     

非达西渗流与采场底板突水防治

用Forcheimer型非Darcy渗流理论,从非线性动力学系统结构失稳的视角揭示了煤矿突水的机理。研究表明:矿井突水与岩层的孔隙率、颗粒直径、雷诺数及水流速度等因素有关;雷诺数Re随孔隙率ε的增大而减小;孔喉比b=0~10,雷诺数受孔喉比影响较大;孔隙率为0.2~0.5,孔喉比受孔隙率的影响较大。     

一种中频接收电路的版图设计

利用Cadence版图设计工具采用B300工艺对一种中频接收电路芯片的版图设计实例,阐述了模拟集成电路版图的设计过程,论述了包括单元库建立、布局、布线、设计规则检查（DRC）和版图对照原理图检查（LVS）等在内的设计步骤以及进行每一步骤的具体方法,尤其对布局和布线这样的关键步骤进行了重点讨论。最后给出了完整的芯片版图。     

一种STN LCD驱动芯片的设计研究

介绍了一种超扭曲向列（STN）LCD驱动芯片的总体设计方案,重点讨论分析了其关键模块--接口电路、控制电路和驱动电路以及电源电路的设计,并用Verilog硬件描述语言对所设计的驱动芯片的功能进行了仿真验证。     

硅微电子兼容技术的发展

硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋.     

一种CMOS低压带隙基准电路的分析与设计

不同于常规电压求和带隙基准,电流求和是实现低压基准的主要方法.文章重点分析了一种负温度系数电流的生成方法,基于电流求和模式,设计了一种简单且无运放的电压基准结构,其输出最大基准值为1.1V,功耗为7μA.     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。