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| 高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进 | |
| 引用本文： | 任铮,石艳玲,胡少坚,金蒙,朱骏,陈寿面,赵宇航.高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进[J].半导体学报,2006,27(6). |
| 作者姓名： | 任铮 石艳玲 胡少坚 金蒙 朱骏 陈寿面 赵宇航 |
| 作者单位： | 1. 华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系,上海,200062;上海集成电路研发中心,上海,201203 2. 上海集成电路研发中心,上海,201203 3. 华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系,上海,200062 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科委资助项目，上海市应用材料研究与发展基金 |
| 摘 要： | 针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义. |
| 关 键 词： | BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合 |
Optimization of BSIM3 I-V Modeling of High Voltage MOS Devices |
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| Ren Zheng,Shi Yanling,Hu Shaojian,Jin Meng,Zhu Jun,Chen Shoumian,Zhao Yuhang.Optimization of BSIM3 I-V Modeling of High Voltage MOS Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). | |
| Authors: | Ren Zheng Shi Yanling Hu Shaojian Jin Meng Zhu Jun Chen Shoumian Zhao Yuhang |
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| Keywords: | |
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