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一种提高SOI电光开关消光比的优化设计
引用本文:王皓,瞿鹏飞,田自君,向鹏飞,孙力军.一种提高SOI电光开关消光比的优化设计[J].半导体光电,2015,36(3):375-378.
作者姓名:王皓  瞿鹏飞  田自君  向鹏飞  孙力军
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆,400060
摘    要:针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计.然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析.最后运用该模型对SOI光开关在电流切换时的消光比变化的问题进行了比较深入的研究,计算结果表明,提出的非对称的开关结构可以将SOI电光开关的消光比提高5 dB左右.

关 键 词:Si基光子集成  SOI  电光开关  消光比  3D光学仿真
收稿时间:2014/10/9 0:00:00

Optimal Design for Extinction Ratio of SOI Electro-optical Switch
Abstract:A new asymmetric structure design was proposed for the extinction ratio enhancement of a SOI optical switch employing carrier injection effect.A 3D-BPM model was established according to the actual device structure which can give the 3D full view of the optical-field distribution in the SOI optical switch.Using this model,detailed analysis was performed on the extinction ratio of the SOI electro-optical switch after current injection.It is indicated that the extinction ratio of the optical switch can be improved by 5dB by employing the asymmetric structure design.
Keywords:Si photonic integration    SOI    optical switch    extinction ratio    3D optical simulation
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